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Identification of VDMOS electrical parameters potentially usable as mechanical stress indicators for power assembly ageing monitoring

E.MARCAULT, A.BOURENNANE, M.BREIL, P.TOUNSI, J.M.DORKEL

ISGE

Manifestation avec acte : International Seminar on Power Semiconductors ( ISPS ) 2012 du 29 août au 31 août 2012, Prague (République Tchèque), Décembre 2012, 7p. , N° 12663

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Aiguilleurs de courant intégrés monolithiquement sur silicium et leurs associations pour des applications de conversion d'énergie

A.EL KHADIRY, A.BOURENNANE, M.BREIL, F.RICHARDEAU

ISGE, LAPLACE

Manifestation sans acte : Journée Puissance (iMAPS) 2012 4 du 18 octobre au 18 octobre 2012, Tours (France), Octobre 2012, 1p. , N° 12593

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Monolithically integrated switching cells suitable for high density power conversion

A.EL KHADIRY, A.BOURENNANE, M.BREIL, F.RICHARDEAU

ISGE, LAPLACE

Manifestation avec acte : International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Prague (République Tchèque), 29-31 Août 2012, pp.222-229 , N° 12311

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Démarche de simulation pour la conception de structures indicatrices du vieillissement de dispositifs de puissance

E.MARCAULT, A.BOURENNANE, M.BREIL, J.M.DORKEL

ISGE

Manifestation avec acte : Conférence Electronique de Puissance du Futur (EPF 2012), Bordeaux (France), 5-7 Juillet 2012, 2p. , N° 12117

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Cellules de commutation monolithiques intégrables sur silicium

A.EL KHADIRY, A.BOURENNANE, M.BREIL, F.RICHARDEAU

ISGE, LAPLACE

Manifestation avec acte : Conférence Electronique de Puissance du Futur (EPF 2012), Bordeaux (France), 5-7 Juillet 2012, 6p. , N° 12216

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Vers une filière et un support de conception EDA (Electronic Design Automation) des fonctions de coupure spécifiques

C.GINESTE, T.BOUCHET, O.GATTI, J.C.CREBIER, P.AUSTIN, N.ROUGER, A.BOURENNANE, F.MORANCHO, M.BREIL

ADIS Innovation, G2Elab, ISGE

Manifestation avec acte : Conférence Electronique de Puissance du Futur (EPF 2012), Bordeaux (France), 5-7 Juillet 2012, 4p. , N° 12408

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Recherche d’un indicateur de l’état de vieillissement de composants électroniques de puissance

E.MARCAULT, M.BREIL, A.BOURENNANE, P.TOUNSI, J.M.DORKEL

ISGE

Manifestation sans acte : ANADEF, Seignosse (France), 5-8 Juin 2012, 15p. , N° 12386

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Using zero thermal coefficient point property for VDMOS power devices health monitoring

E.MARCAULT, A.BOURENNANE, M.BREIL, P.TOUNSI, P.DUPUY

ISGE, FREESCALE

Manifestation avec acte : International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2012), Bruges (Belgique), 3-7 Juin 2012, 4p. , N° 11624

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3D deformation FEM simulations and measurement during VDMOS transistor operation

E.MARCAULT, D.WEIDMANN, A.BOURENNANE, M.BREIL, L.CHARPIOT

ISGE, INSIDIX

Manifestation avec acte : Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE 2012), Lisbonne (Portugal), 15-18 Avril 2012, 4p. , N° 11623

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VDMOS Ron as a mechanical state indicator for device failure anticipation

E.MARCAULT, M.BREIL, A.BOURENNANE, P.TOUNSI, J.M.DORKEL

ISGE

Revue Scientifique : Microelectronics Reliability, Vol.52, N°3, pp.489-496, Mars 2012 , N° 11139

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