150documents trouvés
High-frequency noise in pseudomorphic double-heterojunction high electron mobility transistors
S.LONG, L.ESCOTTE, J.GRAFFEUIL, P.FELLON, D.GEIGER, D.PONS
CISHT, United
Revue Scientifique : Fluctuation and Noise Letters, Vol.2, N°1, pp.L13-L19, 2002 , N° 01540
Diffusable
53540Low noise, high linearity, wide bandwidth amplifier using a 0.4 um SiGe BiCMOS for WLAN applications
J.SADOWY, V.LE GOASCOZ, I.TELLIEZ, J.GRAFFEUIL, E.TOURNIER, L.ESCOTTE, R.PLANA
ST Microelectronics, CISHT
Manifestation avec acte : 2002 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), Seattle (USA), 2-4 Juin 2002, pp.217-220 , N° 01565
Diffusable
Plus d'informations
Abstract
In this paper, we present the design of an integrated low noise amplifier (LNA) for WLAN applications in the 6 GHz range using a low complexity Site BiCMOS technology. The Site HBTs used in the design feature a typical cut-off frequency Ft of 45 GHz and a typical maximum oscillation frequency Fmax of 60 GHz. The LNA exhibits a 17 dB power gain with a 1.4 GHz bandwidth and a noise figure lower than 2.5 dB. The 1 dB compression point is -18 dBm and the third order intercept point referred to the Input is -7 dBm. We have furthermore observed a good accuracy between simulations and measurements. Finally, we have defined a new figure of merit involving the noise measure and the DC power consumption that shows that our design features a performance at the state of the art.
Caractérisation en bruit de transistors PHEMT en bande Ka
S.LONG, L.ESCOTTE
CISHT
Rapport de Contrat : Contrat Alcatel Space Industries N°A40342, Mai 2002, 24p. , N° 02189
Diffusable
51615Amplificateurs MMIC faible bruit aux fréquences millimétriques : technologies et refroidissement
L.ESCOTTE, T.PARRA, S.LONG
CISHT
Manifestations avec acte à diffusion limitée : Papier invité. 5èmes Journées Microondes et Electromagnétisme de Toulouse (JMET'2002), Toulouse (France), 24 Janvier 2002, 4p. , N° 02020
Diffusable
50220Conception de circuits SiGe faible bruit pour applications radiofréquences en bande C
J.SADOWY, V.LE GOASCOZ, I.TELLIEZ, J.GRAFFEUIL, E.TOURNIER, L.ESCOTTE, R.PLANA
CISHT, ST Microelectronics
Manifestations avec acte à diffusion limitée : 5èmes Journées Microondes et Electromagnétisme de Toulouse (JMET'2002), Toulouse (France), 24 Janvier 2002 (Résumé) , N° 02077
Diffusable
50685Analyse et modélisation du comportement en bruit de composants actifs millimétriques (bande Ka)
L.ESCOTTE, S.LONG, J.GRAFFEUIL
CISHT
Rapport de Contrat : Contrat Région Midi-Pyrénées N° RECH/97001924, Décembre 2001, 4p. , N° 01536
Diffusable
48957Noise behavior in SiGe devices
M.REGIS, M.BORGARINO, L.BARY, O.LLOPIS, J.GRAFFEUIL, L.ESCOTTE, R.PLANA
CCM, CISHT
Revue Scientifique : Solid-State Electronics, Vol.45, N°11, pp.1891-1898, Novembre 2001 , N° 00194
Diffusable
48579Caractérisation en bruit de transistors bipolaires à hétérojonction GaInP/GaAs aux fréquences micro-ondes
L.ESCOTTE, S.LONG
CISHT
Rapport de Contrat : Contrat United Monolithic Semiconductors (UMS), Octobre 2001, 25p. , N° 01444
Non diffusable
47952Advanced design of high linearity, low noise amplifier for WLAN using a SiGe BiCMOS technology
J.SADOWY, J.GRAFFEUIL, E.TOURNIER, L.ESCOTTE, R.PLANA
CISHT
Manifestations avec acte à diffusion limitée : Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF systems, Ann Arbor (USA), 12-14 Septembre 2001, 6p. , N° 01602
Diffusable
49642Conception du démonstrateur LNA
S.LONG, L.ESCOTTE, J.GRAFFEUIL
CISHT
Rapport de Contrat : Contrat RNRT "Optimal", Juillet 2001, 14p. , N° 01318
Diffusable
46647