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Rapport intermédiaire du laboratoire commun LISPA
P.ALOISI, C.ALONSO, M.BAFLEUR, V.BOITIER, F.CAIGNET, P.DUBREUIL, B.ESTIBALS, E.IMBERNON, K.ISOIRD, H.E.DKOTB MAHFOZ, N.MAURAN, F.MORANCHO, N.NOLHIER, J.ROIG GUITART, B.ROUSSET, C.SALAMERO, J.L.SANCHEZ, E.SCHEID, H.TRANDUC, B.CHAUDRET, M.KHAN, A.MAISONNAT, C.ESTOURNES, J.L.CHAPTAL, A.DERAM, R.ESCOFFIER, U.MONIRAT, P.RENAUD, J.M.REYNES, E.STEFANOV, B.VRIGNON, J.CALVENTE
ISGE, TEAM, 2I, M2D, LCC, CIRIMAT, FREESCALE, DEEEA
Rapport de Contrat : Laboratoire Commun LISPA, Mai 2007, 20p. , N° 07273
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110604First 15V complementary LDMOS transistors in thin SOI 65nm low power technology
O.BON, O.GONNARD, F.GIANESELLO, C.RAYNAUD, F.MORANCHO
ISGE, ST Microelectronics
Manifestation avec acte : The 19th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD'07), Jeju (Corée), 27-30 Mai 2007, pp.209-212 , N° 07120
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Abstract
The first complementary LDMOS transistors in thin SOI 65nm low power technology is presented. The full functionality and integration are demonstrated. Complementary devices are achieved with great electrical parameters. Then a postive breakdown voltage specific on resistance compromize has been characterized.
Modélisation des structures de puissance FLIMOS prenant en considération les capacités inter-électrodes
A.GALADI, F.MORANCHO, K.BENHIDA, M.M.HASSANI
ISGE, Univ. Cadi Ayyad
Manifestation avec acte : International Meeting on Materials for Electronic Applications (IMMEA 2007), Marrakech (Maroc), 30 Avril -2 Mai 2007, 6p. , N° 07232
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110287Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) à tranchées profondes
L.THEOLIER, K.ISOIRD, F.MORANCHO, J.ROIG GUITART
ISGE
Manifestation sans acte : GDR Intégration des Systèmes de Puissance à 3 dimensions (ISP3D), Montpellier (France) , 18-19 Octobre 2006, 3p. , N° 06774
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108522Switching performance of 65 volts vertical N-channel FLYMOSFETs
L.THEOLIER, K.ISOIRD, H.TRANDUC, F.MORANCHO, J.ROIG GUITART, Y.WEBER, E.STEFANOV, J.M.REYNES
ISGE, FREESCALE
Manifestation avec acte : 8th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'06), Prague (République Tchèque), 29 Août - 1er Septembre 2006, pp.117-122 , N° 06447
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108363Characterization of P floating islands for 150-200V FLYMOSFETs
Y.WEBER, J.M.REYNES, F.MORANCHO, E.STEFANOV, M.DILHAN, G.SARRABAYROUSE
ISGE, FREESCALE, TEAM, M2D
Manifestation avec acte : 8th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'06), Prague (République Tchèque), 29 Août - 1er Septembre 2006, pp.241-246 , N° 06448
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108361Performances dynamiques des transistors FLYMOSTM 65 volts à canal N
L.THEOLIER, K.ISOIRD, H.TRANDUC, F.MORANCHO, J.ROIG GUITART, Y.WEBER, E.STEFANOV, J.M.REYNES
ISGE, FREESCALE
Manifestation avec acte : Electronique de Puissance du Futur (EPF'2006), Grenoble (France), 5-6 Juillet 2006, 5p. , N° 06402
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108036Thermal behavior of a superjunction MOSFET in a high-current conduction
J.ROIG GUITART, E.STEFANOV, F.MORANCHO
ISGE, FREESCALE
Revue Scientifique : IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.53, N°7, pp.1712-1720, Juillet 2006 , N° 06466
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107206Electrical and physical characterization of 150-200V FLYMOSFETs
J.ROIG GUITART, Y.WEBER, J.M.REYNES, F.MORANCHO, E.STEFANOV, M.DILHAN, G.SARRABAYROUSE
ISGE, FREESCALE, TEAM, M2D
Manifestation avec acte : 18th international Symposium on Power Semiconductor Devices and Integrated Circuits (ISPSD '06), Naples (Italie), 4-6 Juin 2006, pp.301-304 , N° 06133
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107370Safe design for TF-SOI power MOSFETs
J.ROIG GUITART, E.STEFANOV, F.MORANCHO
ISGE, FREESCALE
Revue Scientifique : Electronics Letters, Vol.42, N°4, pp.245-246, 16 Février 2006 , N° 06153
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106200