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Comparison of GaN-based MOS structures with different interfacial layer treatments

E.AL ALAM, I.CORTES, M.P.BESLAND, P.REGRENY, A.GOULLET, F.MORANCHO, A.CAZARRE, Y.CORDIER, K.ISOIRD

ISGE, IMN-CNRS, Nantes, INL, N2IS, CRHEA

Manifestation avec acte : International Conference on Microelectronics (MIEL 2010), Nis (Serbie), 16-19 Mai 2010, pp.459-462 , N° 10163

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Analysis and optimization of Sage-Operating-Area of LUDMOS transistors on 0.18¼m SOI CMOS technology

I.CORTES, G.TOULON, F.MORANCHO, X. PERPINYA, B.VILLARD

ATMEL, CNM, ISGE

Revue Scientifique : Semiconductor Science and Technology, Vol.25, N°4, 045013p., Avril 2010 , N° 10116

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Préparation de surface GaN par procédé plasma: analyses par XPS

E.AL ALAM, T.BEGOU, A.GOULLET, A.CAZARRE, I.CORTES, F.OLIVIE, P.REGRENY, J.BRAULT, Y.CORDIER, F.MORANCHO, M.P.BESLAND

ISGE, IMN-CNRS, Nantes, N2IS, M2D, INL, CRHEA

Rapport LAAS N°10142, Mars 2010, 1p.

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Breakdown voltage and on-resistance considerations in the FLIMOSFET

A.GALADI, F.MORANCHO, M.M.HASSANI

ISGE, Univ. Cadi Ayyad

Revue Scientifique : International Journal of Electronics, Vol.97, N°3, pp.241-247, Mars 2010 , N° 10375

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Conception de transistors MOS latéraux de puissance en GaN

E.AL ALAM, F.MORANCHO, M.P.BESLAND, P.REGRENY, A.GOULLET, A.CAZARRE, I.CORTES

ISGE, IMN-CNRS, Nantes, INL, N2IS

Manifestation avec acte : Journées Surfaces et Interfaces (JSI 2010), Nantes (France), 27-29 Janvier 2010, 1p. , N° 10157

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Power lateral split-gate field plate MOS transistor on thick-SOI substrate

I.CORTES, D.FLORES, F.MORANCHO, S.HIDALGO, J.REBOLLO

ISGE, Université de Barcel

Manifestation avec acte : Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits (EUROSOI 2010), Grenoble (France), 25-27 Janvier 2010, 2p. , N° 10117

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High voltage MOS transistors on 0.18¼m SOI CMOS technology

G.TOULON, I.CORTES, F.MORANCHO, E. HUGONNARD-BRUYERE, B.VILLARD, W.J. TOREN

ISGE, ATMEL

Manifestation avec acte : Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits (EUROSOI 2010), Grenoble (France), 25-27 Janvier 2010, 2p. , N° 10101

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Etat de l'art et évolution dse dispositifs semi-conducteurs de puissance pour une meilleure gestion de l'énergie électrique dans l'automobile

J.L.SANCHEZ, F.MORANCHO

ISGE

Rapport LAAS N°09841, Octobre 2009

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LUDMOS transistors optiimization on a 0.18um SOI CMOS technology

G.TOULON, I.CORTES, F.MORANCHO, B.VILLARD

ISGE, DASSAULT Electroniqu, ATMEL

Manifestation avec acte : European Conference on Power Electronics and Applications (EPE 2009), Barcelone (Espagne), 8-10 Septembre 2009, 10p. , N° 09375

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Filling of very deep, wide trenches by BenzoCycloButene (BCB) polymer

H.MAHFOZ-KOTB, K.ISOIRD, F.MORANCHO, L.THEOLIER, T.DO CONTO

Assiut University, ISGE, Tours, TEAM

Revue Scientifique : Journal of Microsystem Technologies, Vol.15, N°9, pp.1395-1400, Septembre 2009 , N° 09462

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