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Effect of surface preparation and interfacial layer on the quality of GaN/SiO2 interfaces
E.AL ALAM, I.CORTES, M.P.BESLAND, A.GOULLET, L.LAJAUNIE, P.REGRENY, Y.CORDIER, J.BRAULT, A.CAZARRE, K.ISOIRD, G.SARRABAYROUSE, F.MORANCHO
ISGE, IMN-CNRS, Nantes, INL, CRHEA, N2IS, M2D
Revue Scientifique : Journal of Applied Physics, Vol.109, N°8, 084511p., Avril 2011 , N° 11330
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124864Analysis and optimization of lateral thin-film silicon-on-insulator (SOI) PMOS transistor with an NBL layer in the drift region
I.CORTES, G.TOULON, F.MORANCHO, D.FLORES, E. HUGONNARD-BRUYERE, B.VILLARD
ISGE, Université de Barcel, ATMEL
Manifestation avec acte : Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits (EUROSOI 2011), Grenade (Espagne), 17-19 Janvier 2011, 2p. , N° 11651
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125946Analysis and Optimization of LUDMOS Transistors on a 0.18¼m SOI CMOS Technology
G.TOULON, I.CORTES, F.MORANCHO, B.VILLARD
ISGE, ATMEL
Revue Scientifique : International Journal of Microelectronics and Computer Science, Vol.1, N°1, pp.3-8, 2010 , N° 10102
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123740Multi-fingered LDEMOS thermal analysis based on a distributed thermal network
S.HNIKI, G.BERTRAND, A.CANEPARI, M.MINONDO, H.JAOUEN, F.MORANCHO
ISGE, ST Microelectronics
Manifestation avec acte : International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010), Tokyo, 22-24 Septembre 2010, 2p. , N° 10888
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123951Thermal effects modeling and characterization of NLDMOS on SOI using distributed thermal network
S.HNIKI, G.BERTRAND, A.CANEPARI, M.MINONDO, H.JAOUEN, F.MORANCHO
ISGE, ST Microelectronics
Manifestation avec acte : European Solid State Device Research Conference (ESSDERC 2010), Seville (Espagne), 13-17 Septembre 2010, 2p. , N° 10887
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123949A brief over view of silicon active and passive power devices technologies: potentialities of evolving towards 3D heterogeneous functional integration
J.L.SANCHEZ, A.BOURENNANE, M.BREIL, P.AUSTIN, M.BRUNET, J.P.LAUR, F.MORANCHO
ISGE
Conférence invitée : International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'10), Prague (République Tchèque), 1-3 Septembre 2010, pp.27-36 , N° 10475
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122356Analysis and optimization of lateral thin-film silicon-on-insulator (SOI) MOSFET transistors
I.CORTES, G.TOULON, F.MORANCHO, E. HUGONNARD-BRUYERE, B.VILLARD, W.J. TOREN
ISGE, ATMEL
Manifestation avec acte : International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'10), Prague (République Tchèque), 1-3 Septembre 2010, pp.263-268 , N° 10845
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123735Conception de transistors MOS latéraux de puissance en nitrure de gallium
E.AL ALAM, F.MORANCHO, A.CAZARRE
N2IS, ISGE
Revues de Vulgarisation : Revue de l'Electricité et de l'Electronique (REE), N°6-7, pp.23-26, Juillet 2010 , N° 10024
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121854Analysis of technological concerns on electrical characteristics of SOI power LUDMOS transistors
G.TOULON, I.CORTES, F.MORANCHO, E. HUGONNARD-BRUYERE, B.VILLARD, W.J. TOREN
ISGE, ATMEL
Manifestation avec acte : International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD'10), Hiroshima (Japon), 6-10 Juin 2010, 4p. , N° 10023
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121896Conception transistor MOS haute tension (1200 Volts) pour l'électronique de puissance
L.THEOLIER, H.MAHFOZ-KOTB, K.ISOIRD, F.MORANCHO
ISGE, Assiut University
Revue Scientifique : European Journal of Electrical Engineering, Vol.13, N°2, pp.227-252, Mai 2010 , N° 10305
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