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Behavioural study of single envent burnout in power devices for natural radiation environment applications
M.ZERARKA, P.AUSTIN, G.TOULON, F.MORANCHO, H.ARBESS, J.TASSELLI
ISGE
Revue Scientifique : IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.59, N°12, pp.3482-3488, Décembre 2012 , N° 12621
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128688Dispositifs analogiques
Y.AVENAS, M.BAFLEUR, S.BOLLAERT, P.CAROFF, E.DUBOIS, C.GAQUIERE, H.HAPPY, F.MORANCHO, D.PLANSON, J.B.QUOIRIN, M.ZAKNOUNE
G2Elab, ESE, IEMN, ISGE, AMPERE, Lyon, ST
Ouvrage (contribution) : Rapport sur "la micro et nano-électronique: Statut et Prospective", Groupe de travail "Microélectronique" INSIS/CNRS, 109p., Novembre 2012, 9p. , N° 12645
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128610Effect of surface preparation and PECVD deposition parameters on electrical properties of GaN-based MOS structures on Sapphire and silicon substrates
E.AL ALAM, I.CORTES, T.BEGOU, A.GOULLET, A.CAZARRE, F.MORANCHO, F.OLIVIE, Y.CORDIER, M.P.BESLAND, K.ISOIRD
IMB-CSIC, IMN-CNRS, Nantes, N2IS, CRN2, Sherbrooke, ISGE, MPN, CRHEA
Rapport LAAS N°12473, Septembre 2012, 2p.
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128014Analysis and optimization of a novel high voltage striped STI-LDMOS transistor on SOI CMOS technology
G.TOULON, I.CORTES, F.MORANCHO, K.ISOIRD, A.BOURENNANE
IMB-CSIC, ISGE
Manifestation avec acte : International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Prague (République Tchèque), 29-31 Août 2012, pp.122-128 , N° 12210
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127955Analysis study of sensitive volume and triggering criteria of SEB in super-junction MOSFETs
M.ZERARKA, P.AUSTIN, F.MORANCHO, K.ISOIRD, H.ARBESS, J.TASSELLI
ISGE
Manifestation avec acte : Prague (République Tchèque), 6p. , N° 12570
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128310Vers une filière et un support de conception EDA (Electronic Design Automation) des fonctions de coupure spécifiques
C.GINESTE, T.BOUCHET, O.GATTI, J.C.CREBIER, P.AUSTIN, N.ROUGER, A.BOURENNANE, F.MORANCHO, M.BREIL
ADIS Innovation, G2Elab, ISGE
Manifestation avec acte : Conférence Electronique de Puissance du Futur (EPF 2012), Bordeaux (France), 5-7 Juillet 2012, 4p. , N° 12408
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127795Effect of surface preparation and PECVD deposition parameters on electrical properties of MOS structures in GaN on Sapphire and Silicon substrates
E.AL ALAM, I.CORTES, T.BEGOU, A.GOULLET, A.CAZARRE, K.ISOIRD, Y.CORDIER, M.P.BESLAND, F.MORANCHO
ISGE, IMB-CSIC, IMN-CNRS, Nantes, N2IS, CRHEA
Rapport LAAS N°12270, Juin 2012, 3p.
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127343Analysis and optimization of lateral thin-film silicon-on-insulator (SOI) MOSFET transistors
I.CORTES, G.TOULON, F.MORANCHO, E. HUGONNARD-BRUYERE, B.VILLARD, W.J. TOREN
IMB-CSIC, ISGE, ATMEL
Revue Scientifique : Microelectronics Reliability, Vol.52, N°3, pp.503-508, Mars 2012 , N° 11676
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126809Design and optimization of high voltage LDMOS transistors on 0.18 um SOI CMOS technology
G.TOULON, I.CORTES, F.MORANCHO, E. HUGONNARD-BRUYERE, B.VILLARD, W.J. TOREN
ISGE, ATMEL
Revue Scientifique : Solid State Electronics, Vol.61, N°1, pp.111-115, Mai 2011 , N° 11259
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124659Design and optimization of different P-channel LUDMOS architectures on a 8.18 um SOI-CMOS technology
I.CORTES, G.TOULON, F.MORANCHO, E. HUGONNARD-BRUYERE, B.VILLARD, W.J. TOREN
ISGE, ATMEL
Revue Scientifique : Semiconductor Science and Technology, Vol.26, N°7, 075018p., Mai 2011 , N° 11258
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