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12448
25/06/2012
Electrical characterization of {311} defects and related junction leakage currents in n-type Si after ion implantation
C.NYAMHERE, F.CRISTIANO, F.OLIVIE, E.BEDEL-PEREIRA, J.BOUCHER, Z.ESSA, D.BOLZE, Y.YAMAMOTO
MPN, IHP
Manifestation avec acte : International Conference on Ion Implantation Technology (IIT'2012), Valladolid (Espagne), 25-29 Juin 2012, 4p. , N° 12448
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