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Residual structural defects in highly activated implanted USJs by advanced processes: millisecond annealing and plasma implants

F.CRISTIANO, Z.ESSA, Y.QIU, Y.SPIEGEL, F.TORREGROSA, P.BOULENC, C.TAVERNIER, O.COJOCARU, D.BLAVETTE, D.MANGELINCK, P.F.FAZZINI

MPN, Ion Beam Services, ST Microelectronics, Max, Univ. de Rouen, IM2NP, LPCNO

Conférence invitée : International Conference on Ion Implantation Technology (IIT'2012), Valladolid (Espagne), 25-29 Juin 2012, 1p. , N° 12451

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BF3 PIII modeling: implantation, amorphisation and diffusion

Z.ESSA, F.CRISTIANO, Y.SPIEGEL, P.BOULENC, Y.QIU, M.QUILLEC, N.TALEB, A.BURENKOV, M.HACKENBERG, E.BEDEL-PEREIRA, V.MORTET, F.TORREGROSA, C.TAVERNIER

MPN, Ion Beam Services, ST Microelectronics, Probion Analysis, Fraunhofer Erlangen

Manifestation avec acte : International Conference on Ion Implantation Technology (IIT'2012), Valladolid (Espagne), 25-29 Juin 2012, 4p. , N° 12449

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Electrical characterization of {311} defects and related junction leakage currents in n-type Si after ion implantation

C.NYAMHERE, F.CRISTIANO, F.OLIVIE, E.BEDEL-PEREIRA, J.BOUCHER, Z.ESSA, D.BOLZE, Y.YAMAMOTO

MPN, IHP

Manifestation avec acte : International Conference on Ion Implantation Technology (IIT'2012), Valladolid (Espagne), 25-29 Juin 2012, 4p. , N° 12448

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Modélisation TCAD des profils et fuites de jonctions ultra-minces dans les technologies avancées

Z.ESSA, F.CRISTIANO, P.BOULENC, C.TAVERNIER, F.OLIVIE

ST Microelectronics, MPN, M2D

Manifestation sans acte : Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique (JNRDM 2012), Marseille (France), 18-20 Juin 2012, 5p. , N° 12447

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Implantation-induced structural defects in highly activated USJs: Boron precipitation and trapping in pre-amorphised silicon

F.CRISTIANO, Z.ESSA, Y.QIU, Y.SPIEGEL, F.TORREGROSA, J.DUCHAINE, P.BOULENC, C.TAVERNIER, O.COJOCARU, D.BLAVETTE, D.MANGELINCK, P.F.FAZZINI, M.QUILLEC, E.M.BAZIZI, M.HACKENBERG, S.BONINELLI

MPN, Ion Beam Services, ST Microelectronics, Max, Univ. de Rouen, IM2NP, LPCNO, Probion Analysis, Globalfoundries, Fraunhofer Erlangen, MATIS Catania

Conférence invitée : International Workshop on Junction Technology (IWJT 2012), Shanghai (Chine), 14-15 Mai 2012, 7p. , N° 12452

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Evaluation and modelling of lanthanum diffusion in TiN/La2O3/HfSiON/SiO2/Si high-k stacks

Z.ESSA, C.GAUMER, A.PAKFAR, M.GROS-JEAN, M.JUHEL, F.PANCIERA, P.BOULENC, C.TAVERNIER, F.CRISTIANO

MPN, ST Microelectronics

Manifestation avec acte : E-MRS Spring Meeting 2012, Strasbourg (France), 14-18 Mai 2012, 1p. , N° 12450

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