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Capillary-assisted dielectrophoresis as an innovative protocol to align nanowires at single-level

M.COLLET, S.SALOMON, F.SEICHEPINE, Y.COFFINIER, P.CAROFF, C.VIEU, L.NICU, F.CRISTIANO, G.LARRIEU

M2D, NBS, IEMN

Manifestation sans acte : MRS Fall Meeting, Boston (USA), 27 Novembre - 02 Décembre 2011, 1p. , N° 11720

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CMOS integration using low thermal budget dopant-segregated metallic S/D junctions on thin-body SOI

G.LARRIEU, E.DUBOIS, D.DUCATTEAU

IEMN Villeneuve, M2D

Manifestation avec acte : ECS Meeting and Electrochemical Energy Summit, Boston (USA), 9-14 Octobre 2011, 8p. , N° 11533

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High yield of self-catalyzed GaAs nanowire arrays grown on silicon via gallium droplet positioning

S.PLISSARD, G.LARRIEU, X.WALLART, P.CAROFF

IEMN, M2D

Revue Scientifique : Nanotechnology, Vol.22, N°27, 275602p., Juillet 2011 , N° 11354

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CMOS inverter based on Schottky source-drain MOS technology with low temperature dopant segregation

G.LARRIEU, E.DUBOIS

M2D, IEMN Villeneuve

Revue Scientifique : IEEE Electron Device Letters, Vol.32, N°6, pp.728-730, Juin 2011 , N° 11293

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Realization of ultra dense arrays of vertical silicon NWs with defect free surface and perfect anisotropy using a top-down approach

X.L.HAN, G.LARRIEU, P.F.FAZZINI, E.DUBOIS

IEMN Villeneuve, M2D

Revue Scientifique : Microelectronic Engineering, Vol.88, N°8, pp.2622-2624, Juin 2011 , N° 11292

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Gold-free growth of GaAs nanowires on silicon: arrays and polytypism

S.PLISSARD, K.A.DICK, G.LARRIEU, S.GODEY, A.ADDAD, X.WALLART, P.CAROFF

IEMN, Lund University, M2D

Revue Scientifique : Nanotechnology, Vol.21, N°38, 385602p., Août 2010 , N° 10935

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