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Behavioural study of single envent burnout in power devices for natural radiation environment applications
M.ZERARKA, P.AUSTIN, G.TOULON, F.MORANCHO, H.ARBESS, J.TASSELLI
ISGE
Revue Scientifique : IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.59, N°12, pp.3482-3488, Décembre 2012 , N° 12621
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128688Analysis study of sensitive volume and triggering criteria of SEB in super-junction MOSFETs
M.ZERARKA, P.AUSTIN, F.MORANCHO, K.ISOIRD, H.ARBESS, J.TASSELLI
ISGE
Manifestation avec acte : Prague (République Tchèque), 6p. , N° 12570
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128310Détermination par simulations numériques 2D de la zone de sécurité de fonctionnement (SOA) en environnement radiatif des composants de puissance avancés
M.ZERARKA
ISGE
Manifestation sans acte : Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique JNRDM 2012 du 18 juin au 20 juin 2012, Marseille (France), 2012, 4p. , N° 12572
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128366Cosmic ray immunity of new IGBT structures for aerospace application
M.ZERARKA, P.AUSTIN, M.BAFLEUR
ISGE
Manifestation avec acte : International Semiconductor Conference (CAS 2011), Sinaia (Roumanie), 17-19 Octobre 2011, 4p. , N° 11541
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125531Comparative study of sensitive volume and triggering criteria of SEB in 600V planar and trench IGBTs
M.ZERARKA, P.AUSTIN, M.BAFLEUR
ISGE
Revue Scientifique : Microelectronics Reliability, Vol.51, N°9-11, pp.1990-1994, Septembre 2011 , N° 11556
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125582Volume sensible et critères de déclenchement en environnement radiatif (ion lourd) dans des composants de puissance VDMOS et IGBT
M.ZERARKA
ISGE
Manifestation sans acte : Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique (JNRDM 2011), Paris (France), 23-25 Mai 2011, 5p. , N° 11519
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125491Rapport intermédiaire EPOPE. Deliverable L1.1, L1.2 et L1.6
M.ZERARKA, P.AUSTIN, M.BAFLEUR
ISGE
Rapport de Contrat : Contrat EADS, LAAS-CNRS, Juillet 2010, 41p. , N° 10405
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