22documents trouvés
Temperature sensing for power MOSFETs in short duration avalanche mode
T.AZOUI, P.TOUNSI, G.PASQUET, J.M.REYNES, E.POMES, J.M.DORKEL
ISGE, FREESCALE
Rapport LAAS N°12482, Septembre 2012, 5p.
Diffusable
128024Innovative methodology to extract dynamic compact thermal models: application to power devices
T.AZOUI, P.TOUNSI, J.M.DORKEL
ISGE
Revue Scientifique : Microelectronics Journal, Vol.43, N°9, pp.642-648, Septembre 2012 , N° 11578
Diffusable
127868Auto-adaptive Multi-heat sources and multi-cooling surfaces dynamic compact thermal model
T.AZOUI, P.TOUNSI, E.MARCAULT, J.M.DORKEL, J.L.MASSOL
ISGE
Manifestation avec acte : International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Prague (République Tchèque), 29-31 Août 2012, pp.155-161 , N° 12454
Diffusable
127909Modélisation électrothermique pour la maitrise de la fiabilité des composants de puissance
T.AZOUI
ISGE
Manifestation sans acte : Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique (JNRDM 2012), Marseille (France), 18-20 Juin 2012, 4p. , N° 12197
Diffusable
127468Expected electro-thermal improvements using sintered silver die attach
T.AZOUI, P.TOUNSI, J.M.DORKEL, P.DUPUY
ISGE, FREESCALE
Rapport LAAS N°12177, Avril 2012, 4p.
Diffusable
126989FE analysis of the electro-thermal behaviour of power MOSFETs under extreme conditions
T.AZOUI, P.TOUNSI, J.M.DORKEL, P.DUPUY
ISGE, FREESCALE
Rapport LAAS N°12178, Avril 2012, 4p.
Diffusable
126990Numerical and experimental results correlation concerning power MOSFETs ageing
T.AZOUI, P.TOUNSI, P.DUPUY, J.M.DORKEL, E.MARCAULT
ISGE, FREESCALE
Manifestation avec acte : Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE 2012), Lisbonne (Portugal), 16-18 Avril 2012, 4p. , N° 12191
Diffusable
127132Electro-thermal delamination analysis of power MOSFET under short circuit condition
T.AZOUI, P.TOUNSI, J.M.DORKEL, P.DUPUY, L.GUILLOT
ISGE, FREESCALE
Rapport LAAS N°11590, Novembre 2011, 3p.
Diffusable
1257483D electro-thermal modelling of bonding and metallization ageing effects for reliability improvement of power MOSFETs
T.AZOUI, P.TOUNSI, P.DUPUY, L.GUILLOT, J.M.DORKEL
ISGE, FREESCALE
Manifestation avec acte : European Symposium Reliability of Electron Devices Failure Physics and Analysis (ESREF 2011), Bordeaux (France), 3-7 Octobre 2011, 5p. , N° 11204
Diffusable
1258543D electro-thermal modelling of bonding and metallization ageing effects for reliability improvement of power MOSFETs
T.AZOUI, P.TOUNSI, P.DUPUY, L.GUILLOT, J.M.DORKEL
ISGE, FREESCALE
Revue Scientifique : Microelectronics Reliability, Vol.51, N°9-11, pp.1945-1947, Octobre 2011 , N° 11204
Diffusable
125855