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Characterization of ESD induced defects using photovoltaic laser stimulation (PLS)
T.BEAUCHENE, D.TREMOUILLES, D.LEWIS, P.PERDU, P.FOUILLAT
IXL, CIP, CNES-THALES
Revue Scientifique : Microlectronics Reliability, Vol.43, N°9-11, pp.1577-1582, Septembre-Novembre 2003 , N° 03200
Diffusable
101243ESD induced latent defects in CMOS ICs and reliability impact
D.TREMOUILLES, S.ALVES, N.GUITARD, M.BAFLEUR, F.BEAUDOIN, P.PERDU, A.WISLEZ
CIP, LCIP2, CNES-THALES, LCIE
Rapport LAAS N°03201, Avril 2003, 3p.
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100731Stratégies de protection intégrées contre les décharges électrostatiques. Comparaison des stress de types HBM et CDM
D.TREMOUILLES
CIP
Manifestations avec acte à diffusion limitée : Séminaire Annuel de l'Ecole Doctorale Génie Electrique, Electronique, Télécommunications (GEET), Toulouse (France), 11-13 Mars 2003, 4p. , N° 03164
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100663TCAD and SPICE modeling help solve ESD protection issues in analog CMOS technology
D.TREMOUILLES, G.BERTRAND, M.BAFLEUR, F.BEAUDOIN, P.PERDU, N.GUITARD, L.LESCOUZERES
CIP, ON Semiconductor, CNES-THALES
Revue Scientifique : Microelectronics Reliability, Vol.43, N°1, pp.71-79, Janvier 2003 , N° 03674
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104527TCAD and SPICE modeling help solve ESD protection issues in analog CMOS technology
D.TREMOUILLES, G.BERTRAND, M.BAFLEUR, F.BEAUDOIN, P.PERDU, N.GUITARD, L.LESCOUZERES
CIP, CNES-THALES, ON Semiconductor
Revue Scientifique : Microelectronics Reliability, Vol.43, N°1, pp.71-79, Janvier 2003 , N° 01610
Diffusable
109740Thermal laser stimulation and OBIC techniques applied to ESD defect localization
T.BEAUCHENE, D.LEWIS, F.BEAUDOIN, H.LAPUYADE, P.PERDU, M.BAFLEUR, D.TREMOUILLES
IXL, CNES-THALES, CIP
Manifestations avec acte à diffusion limitée : Workshop EOS/ESD/EMI, Toulouse (France), Décembre 2002, 3p. , N° 02540
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100282Impact of CDM ESD stress on CMOS ICs reliability
M.BAFLEUR, D.TREMOUILLES, S.ALVES, F.BEAUDOIN, P.PERDU, A.WISLEZ
CNES-THALES, LCIE, CIP
Manifestations avec acte à diffusion limitée : Workshop EOS/ESD/EMI, Toulouse (France), 13 Novembre 2002, 3p. , N° 02522
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100254TLP and photo emission coupling, a powerful tool for study of ESD protection strategy
D.TREMOUILLES, N.GUITARD, M.BAFLEUR, N.NOLHIER, L.LESCOUZERES
ON Semiconductor, CIP
Manifestations avec acte à diffusion limitée : Workshop EOS/ESD/EMI, Toulouse (France), 13 Novembre 2002, 3p. , N° 02541
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100284Design guidelines to achieve a very high ESD robustness in a self-biased NPN
D.TREMOUILLES, G.BERTRAND, M.BAFLEUR, N.NOLHIER, L.LESCOUZERES
CIP, ON Semiconductor
Manifestation avec acte : 24th Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS'24), 8-10 Octobre 2002, pp.281-288 , N° 02018
Lien : http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00383352/fr/
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Abstract
In this paper, using extensive TCAD simulations and measurement results, we analyze the basic mechanisms involved during an ESD stress in a self-biased NPN bipolar transistor used as an ESD protection. From the deep understanding of these mechanisms, we define design guidelines to achieve a very high ESD robustness (=10kV) in this type of device. These guidelines are validated on several CMOS technologies.
Thermal laser stimulation and NB-OBIC techniques applied to ESD defect localization
T.BEAUCHENE, D.LEWIS, F.BEAUDOIN, V.POUGET, R.DESPLATS, P.FOUILLAT, P.PERDU, M.BAFLEUR, D.TREMOUILLES
IXL, CNES-THALES, CIP
Manifestation avec acte : XIIIth European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Aanalysis (ESREF'2002), Bellaria (Italie), 7-11 Octobre 2002, 6p. , N° 02326
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100413