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Charging and discharging studies in microwave capacitive switches under high field pulse discharges
J.RUAN, G.J.PAPAIOANNOU, N.NOLHIER, D.TREMOUILLES, F.COCCETTI, R.PLANA
MINC, Athenes, ISGE, 2I
Manifestation avec acte : 10th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SIRF 2010), New Orleans (Etats-unis), 11-13 Janvier 2010, pp.140-143 , N° 09672
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120098Accelerated lifetime test of FR-MEMS switches under ESD stress
J.RUAN, N.NOLHIER, G.J.PAPAIOANNOU, D.TREMOUILLES, V.PUYAL, C.VILLENEUVE, T.IDDA, F.COCCETTI, R.PLANA
MINC, ISGE, Athenes, 2I
Manifestation avec acte : 20th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2009), Arcachon (France), 5-9 Octobre 2009 , N° 09582
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119145Failure mechanisms of discrete protection device subjected to repetitive electrostatic discharges (ESD)
M.DIATTA, E.BOUYSSOU, D.TREMOUILLES, P.MARTINEZ, F.ROQUETA, O.ORY, M.BAFLEUR
ISGE, ST
Manifestation avec acte : 20th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2009), Arcachon (France), 5-9 Octobre 2009, pp.1103-1106 , N° 09463
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118957Temperature dependence of ESD charging in RF MEMS capacitive switch
J.RUAN, G.J.PAPAIOANNOU, N.NOLHIER, D.TREMOUILLES, F.COCCETTI, R.PLANA
MINC, Athenes, ISGE, 2I
Manifestation avec acte : 39th European Microwave Conference : European Microwave week 2009 (EuMA: EuMC), Rome (Italie), 28 Septembre-2 octobre 2009 , N° 09584
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119148Accelerated lifetime test of FR-MEMS switches under ESD stress
J.RUAN, N.NOLHIER, G.J.PAPAIOANNOU, D.TREMOUILLES, V.PUYAL, C.VILLENEUVE, T.IDDA, F.COCCETTI, R.PLANA
MINC, ISGE, Athenes, 2I
Revue Scientifique : Microelectronics Reliability, Vol.49, N°9-11, pp.1256-1259, Septembre 2009 , N° 09582
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119144ESD events in SiN RF-MEMS Capacitive Switches
J.RUAN, N.NOLHIER, D.TREMOUILLES, G.J.PAPAIOANNOU, R.PLANA
MINC, ISGE, Athenes
Manifestation avec acte : Anaheim (Etats-Unis), 30 Août - 4 septembre 2009, 6p. , N° 09581
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119393Accurate transcient behaviour measurement of high-voltage ESD protections based on a very fast transmission-line pulse system
A.DELMAS, D.TREMOUILLES, N.NOLHIER, M.BAFLEUR, N.MAURAN, A.GENDRON
ISGE, 2I
Manifestation avec acte : 31st Annual Electrical Overstress/Electrostratic Discharge Symposium (EOS/ESD), Anaheim (USA), 30 Août - 4 septembre 2009 , N° 09077
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118954Electrical and thermal scaling trends for FinFET ESD design
S.THIJS, D.TREMOUILLES, A.GRIFFONI, C.RUSS, D.LINTEN, M.SCHOLZ, G.GROESENEKEN
IMEC, ISGE, INFINEON
Manifestation avec acte : 31st Annual Electrical Overstress/Electrostratic Discharge Symposium (EOS/ESD), Anaheim (USA), 30 Août-4 septembre 2009 , N° 09075
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118955Next generation FinFET devices in bulk silicon technology and thier benefits for ESD robustness
A.GRIFFONI, S.THIJS, C.RUSS, D.TREMOUILLES, D.LINTEN, M.SCHOLZ, N.COLLAERT, L.WITTERS, G.MENEGHESSO, G.GROESENEKEN
IMEC, INFINEON, ISGE, University of Padova
Manifestation avec acte : 31st Annual Electrical Overstress/Electrostratic Discharge Symposium (EOS/ESD), Anaheim (USA), 30 Août-4 septembre 2009 , N° 09076
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118956Mesures et modélisation des protections contre les décharges électrostatiques d'un circuit intégré: application à l'extraction de modèle de protection du composant 74LVC04A
N.MONNEREAU, D.TREMOUILLES, F.CAIGNET
ISGE
Rapport LAAS N°09418, Juillet 2009, 43p.
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