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17documents trouvés

10845
01/09/2010

Analysis and optimization of lateral thin-film silicon-on-insulator (SOI) MOSFET transistors

I.CORTES, G.TOULON, F.MORANCHO, E. HUGONNARD-BRUYERE, B.VILLARD, W.J. TOREN

ISGE, ATMEL

Manifestation avec acte : International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'10), Prague (République Tchèque), 1-3 Septembre 2010, pp.263-268 , N° 10845

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123735
10023
01/06/2010

Analysis of technological concerns on electrical characteristics of SOI power LUDMOS transistors

G.TOULON, I.CORTES, F.MORANCHO, E. HUGONNARD-BRUYERE, B.VILLARD, W.J. TOREN

ISGE, ATMEL

Manifestation avec acte : International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD'10), Hiroshima (Japon), 6-10 Juin 2010, 4p. , N° 10023

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121896
10116
01/04/2010

Analysis and optimization of Sage-Operating-Area of LUDMOS transistors on 0.18¼m SOI CMOS technology

I.CORTES, G.TOULON, F.MORANCHO, X. PERPINYA, B.VILLARD

ATMEL, CNM, ISGE

Revue Scientifique : Semiconductor Science and Technology, Vol.25, N°4, 045013p., Avril 2010 , N° 10116

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123741
10101
01/01/2010

High voltage MOS transistors on 0.18¼m SOI CMOS technology

G.TOULON, I.CORTES, F.MORANCHO, E. HUGONNARD-BRUYERE, B.VILLARD, W.J. TOREN

ISGE, ATMEL

Manifestation avec acte : Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits (EUROSOI 2010), Grenoble (France), 25-27 Janvier 2010, 2p. , N° 10101

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121744
09375
08/09/2009

LUDMOS transistors optiimization on a 0.18um SOI CMOS technology

G.TOULON, I.CORTES, F.MORANCHO, B.VILLARD

ISGE, DASSAULT Electroniqu, ATMEL

Manifestation avec acte : European Conference on Power Electronics and Applications (EPE 2009), Barcelone (Espagne), 8-10 Septembre 2009, 10p. , N° 09375

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125924
09372
25/06/2009

Analysis and Optimization of LUDMOS Transistors on a 0.18um SOI CMOS Technology

G.TOULON, I.CORTES, F.MORANCHO

ISGE

Manifestation avec acte : 16th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES 2009), Lodz (Pologne), 25-27 Juin 2009 , N° 09372

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118194
07625
14/11/2007

La gravure profonde du silicium de réseaux de tranchées denses à fort facteur de forme

P.DUBREUIL, M.BRUNET, H.E.DKOTB MAHFOZ, G.TOULON, H.GRANIER

TEAM, ISGE

Rapport LAAS N°07625, Novembre 2007, 26p.

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