Laboratoire d’Analyse et d’Architecture des Systèmes
P.L.TABERNA, P.SIMON, C.LARGEOT, J.CHMIOLA, Y.GOGOTSI, D.PECH, M.BRUNET
CIRIMAT, Drexel Univ., ISGE
Manifestation sans acte : Journées SEEDS, Toulouse (France), 3-4 Juin 2010, 2p. , N° 10954
Diffusable
126071C.ROSSI, J.M.DILHAC, M.BRUNET, M.BAFLEUR, H.DUROU, A.RAMOND, D.PECH, L.ASSOUERE
N2IS, ISGE
Rapport de Contrat : Rapport final projet FRAE AUTOSENS, Mars 2010, 44p. , N° 10248
Diffusion restreinte
121261J.L.SANCHEZ, A.BOURENNANE, M.BREIL, P.AUSTIN, M.BRUNET, J.P.LAUR
ISGE
Manifestation avec acte : XV International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices (IWPSD 2009), New Delhi (Inde), 15-19 Décembre 2009, pp.159-171 , N° 09797
Diffusable
120102D.PECH, H.DUROU, P.HUANG, M.BRUNET, P.L.TABERNA, P.SIMON, N.FABRE, F.MESNILGRENTE, V.CONEDERA
ISGE, N2IS, CIRIMAT, TEAM
Conférence invitée : Journées Nationales du GDR Micro et Nano Systèmes (GDR MNS), Besançon (France), 18-20 Novembre 2009, 12p. , N° 09949
Diffusable
125864M.HEON, Y.GOGOTSI, J.HETTINGER, M.BRUNET, D.PECH, P.L.TABERNA, P.SIMON
Drexel Univ., Rowan Univ., ISGE, CIRIMAT
Manifestation avec acte : MRS Fall Meeting, Novembre 2009, 1p. (Résumé) , N° 09840
Diffusable
121654K.GALICKA-FAU, M.ANDRIEUX, C.LEGROS, I.GALLET, M.BRUNET, E.SCHEID, S.SCHAMM
LEMHE-CNRS, ISGE, M2D, CEMES/CNRS
Manifestation avec acte : EuroCVD-17, Vienne (Autriche), 4-9 Octobre 2009, 8p. , N° 09611
Diffusable
123461M.BRUNET, E.SCHEID, K.GALICKA-FAU, M.ANDRIEUX, C.LEGROS, I.GALLET, M.HERBST, S.SCHAMM
ISGE, M2D, LEMHE-CNRS, CEMES/CNRS
Revue Scientifique : Microelectronic Engineering, Vol.86, N°10, pp.2034-2037, Octobre 2009 , N° 08631
Diffusable
Plus d'informations
This work deals with high-density integrated capacitors for output filters in future micro DCDC converters. To reach high capacitance density, 3D structures were created in silicon with DRIE followed by MOCVD of ZrO2 (100 nm thick). The step coverage revealed two deposition regimes: a surface reaction controlled regime for cavities aspect ratio lower than 2 and a diffusion-controlled regime for higher aspect ratios. The ZrO2 films present mostly a cubic/tetragonal structure. The permittivity extracted from the measurement is 26.4. These results are discussed with static dielectric responses calculated in literature.
M.BRUNET, P.KLEIMANN, E.DARAN, F.CARCENAC, L.JALABERT, P.DUBREUIL
ISGE, INL, TEAM
Manifestation avec acte : 20th MicroMechanics europe Workshop (MME 2009), Toulouse (France), 20-22 Septembre 2009, 4p. , N° 09825
Non diffusable
120231O.DELEAGE, J.C.CREBIER, M.BRUNET, Y.LEMBEYE, H.TRAN MANH
LEG, ISGE
Manifestation avec acte : Energy Conversion Congress and Exposition, San Jose (USA), 20-24 Septembre 2009, pp.3690-3697 , N° 09845
Diffusable
123465D.PECH, M.BRUNET, P.L.TABERNA, P.SIMON, N.FABRE, F.MESNILGRENTE, V.CONEDERA, H.DUROU
ISGE, CIRIMAT, TEAM, N2IS
Revue Scientifique : Journal of Power Sources, Vol.195, N°4, pp.1266-1269, 6 Septembre 2009 , N° 09320
Diffusable
120223