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Dislocation half loops formation in GaSb/(001) GaAs islands and steps role: a Monte Carlo simulation

J.DALLA TORRE, M.DJAFARI ROUHANI, G.LANDA, A.ROCHER, R.MALEK, D.ESTEVE

M2I, LPS, CEMES/CNRS

Manifestation sans acte : E-MRS 1998 Spring Meeting, Strasbourg (France), 16-19 Juin 1998, 16p. , N° 98302

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Strain effects on optical phonons in (111) GaAs layers analyzed by Raman scattering

P.PUECH, G.LANDA, R.CARLES, C.FONTAINE

LPS, PH

Revue Scientifique : Journal of Applied Physics, Vol.82, N°9, pp.4493-4499, 1er Novembre 1997 , N° 97509

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MBE Growth and Raman analysis of (hhk)GaAs/(Si or CaF2) highly strained heterostructures

P.PUECH, E.DARAN, G.LANDA, C.FONTAINE, P.S.PIZANI, R.CARLES

EXT, PH

Revue Scientifique : Microelectronics Journal, Vol.26, N°8, pp.789-795, Décembre 1995 , N° 95571

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Strain relaxation in (001) and (111)-GaAs/CaF2 analyzed by Raman spectroscopy

P.PUECH, G.LANDA, R.CARLES, P.S.PIZANI, E.DARAN, C.FONTAINE

EXT, SIIIV

Revue Scientifique : Journal of Applied Physics, Vol.77, N°3, pp.1126-1132, Février 1995 , N° 94425

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Raman scattering study of (hhk)-GaAs/(SL or CaF2) strained heterostructures

P.PUECH, G.LANDA, R.CARLES, P.S.PIZANI, E.DARAN, C.FONTAINE

EXT, SIIIV

Revue Scientifique : Journal of Applied Physics, Vol.76, N°5, pp.2773-2780, Septembre 1994 , N° 94374

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Molecular beam epitaxial GaAs layers on CaF2 substrates: highly strained films for polarized electron source application

E.DARAN, C.FONTAINE, P.PUECH, G.LANDA, Y.LASSAILLY, C.HERMANN

SIIIV, EXT

Manifestation sans acte : 7th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy, Bardonecchia (Italie), 7-10 Mars 1993 (Résumé) , N° 93169

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Raman study of longitudinal optical phonon-plasmon coupling and disorder effects in heavily Be-doped GaAs

A.MLAYAH, R.CARLES, G.LANDA, E.BEDEL, A.MUNOZ YAGUE

EXT, III.V

Revue Scientifique : Journal of Applied Physics, Vol.69, N°7, pp.4064-4070, Avril 1991 , N° 91177

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Raman study under resonant conditions of defects near the interface in GaAs/Si heterostructures

A.MLAYAH, R.CARLES, G.LANDA, E.BEDEL, C.FONTAINE, A.MUNOZ YAGUE

EXT, III.V

Revue Scientifique : Journal of Applied Physics, Vol.68, N°9, pp.4777-4781, Novembre 1990 , N° 90438

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