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Logiciel Hikad pour modéliser l'organisation des atomes durant la croissance de HfO2 sur silicium
A.ESTEVE, M.DJAFARI ROUHANI, A.DKHISSI, C.MASTAIL, G.LANDA, A.HEMERYCK, N.RICHARD
N2IS, CEA-DAM
Revue Scientifique : Techniques de l'Ingénieur, Vol.RE 123, pp.Re 123-1-RE 123-12, Avril 2009 , N° 08630
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123999Matériaux énergétiques nanostructurés: étude multi-échelles de la croissance d'un système intermétallique Al/Ni
M.PETRANTONI, A.HEMERYCK, J.M.DUCERE, A.ESTEVE, C.ROSSI, M.DJAFARI ROUHANI, D.ESTEVE, G.LANDA
N2IS
Manifestation sans acte : GDR-DFT++, Dourdan (France), 2-6 Février 2009, 1p. (Résumé) , N° 09531
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118900L'oxydation thermique du silicium par une approche multi-échelle
A.HEMERYCK, N.RICHARD, A.ESTEVE, M.DJAFARI ROUHANI, G.LANDA, Y.J.CHABAL, A.J.MAYNE, G.DUJARDIN, G.COMTET
N2IS, CEA-DAM, University of Texas, LPM Orsay
Manifestation sans acte : GDR-DFT++, Dourdan (France), 2-6 Février 2009, 1p. (Résumé) , N° 09530
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118898Modélisation multi-échelle de capteurs chimiques à base de SnO2
J.M.DUCERE, A.HEMERYCK, A.ESTEVE, M.DJAFARI ROUHANI, G.LANDA, C.TROPIS, P.MENINI, A.MAISONNAT, P.FAU, B.CHAUDRET
N2IS, M2D, LCC
Manifestation sans acte : GDR-DFT++, Dourdan (France), 2-6 Février 2009, 1p. (Résumé) , N° 09528
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118894Evidence of the Ge non-reactivity during the initial stage of SiGe oxidation
A.DKHISSI, A.K.UPADHYAY, A.HEMERYCK, A.ESTEVE, G.LANDA, P.POCHET, M.DJAFARI ROUHANI
N2IS, CEA Grenoble
Revue Scientifique : Applied Physics Letters, Vol.94, 041912p., Janvier 2009 , N° 09030
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Abstract
Density functional theory calculations are used to identify preferential sites for oxygen adsorption on SiGe. It is shown that Ge atoms hinder O incorporation in their vicinity. Additionally, the silanone structure, known to be the key intermediate prior to silicon dioxide formation, is shown to be not favorable when close to a Ge site on the surface.
Fundamental steps towards interface amorphization during silicon oxidation
A.HEMERYCK, A.ESTEVE, N.RICHARD, M.DJAFARI ROUHANI, Y.J.CHABAL
N2IS, CEA-DAM, University of Texas
Revue Scientifique : Physical Review B, Vol.B79, 035317p., Janvier 2009 , N° 08372
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Abstract
Density functional theory calculations reveal a two-step scenario for silicon oxidation nucleation. We detail a quasibarrierless semihexagonal oxide nucleus, involving an unexpected adjacent dimer oxygen bridging bond. It is formed upon O2 chemisorption at 0.5 monolayer on Si(100)-(2×1). This structure arises from the difficulty to systematically insert oxygen atoms into first neighbor Si-Si bonds. While silanone structures, characterized by a Si=O strand, effectively accommodate oxygen at lower coverages, the stabilization of this hexagonal-like pattern on a cubic substrate at low temperatures and at higher coverages demonstrates the ability of oxygen atoms to deeply modify the arrangement of silicon atoms on the surface and to impose a specific structure. It is believed to offer a key natural pathway toward the formation of an abrupt crystalline semiconductor/amorphous oxide transition.
Modélisation multi-échelle de capteurs à gaz: de la DFT au macroscopique
J.M.DUCERE, A.HEMERYCK, A.ESTEVE, M.DJAFARI ROUHANI, G.LANDA, C.TROPIS, P.MENINI, A.MAISONNAT, P.FAU, B.CHAUDRET
N2IS, M2D, LCC
Manifestation sans acte : GDR - DFT ++, Toulouse (France), 16-18 Décembre 2008, 1p. (Résumé) , N° 08871
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118910Modélisation atomique d'un modèle énergétique bi-métallique Al/Ni: calculs DFT sur la diffusion d'Al dans Ni et inversement
M.PETRANTONI, A.HEMERYCK, J.M.DUCERE, A.ESTEVE, C.ROSSI, M.DJAFARI ROUHANI, D.ESTEVE, G.LANDA
N2IS
Manifestation sans acte : GDR - DFT++, Toulouse (France), 16-18 Décembre 2008, 1p. (Résumé) , N° 08874
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118916Modélisation multi-échelles des premières étapes de l'oxydation du silicium
A.HEMERYCK, N.RICHARD, A.ESTEVE, M.DJAFARI ROUHANI, G.LANDA, Y.J.CHABAL, A.J.MAYNE, G.DUJARDIN, G.COMTET
N2IS, CEA-DAM, University of Texas, LPM Orsay
Manifestation sans acte : GDR - DFT++, Toulouse (France), 16-18 Décembre 2008, 1p. (Résumé) , N° 08873
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118914Multi-scale modeling: SnO2-based gas sensors
J.M.DUCERE, A.HEMERYCK, A.ESTEVE, M.DJAFARI ROUHANI, G.LANDA, C.TROPIS, P.MENINI, A.MAISONNAT, P.FAU, B.CHAUDRET
N2IS, M2D, LCC
Conférence invitée : NAMiS Autumn School, Tokyo (Japon), 28 Septembre - 4 Octobre 2008, 1p. (Résumé) , N° 08870
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