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Oxide-confined mid-infrared VCSELs

Y.LAAROUSSI, D.SANCHEZ, L.CERUTTI, C.LEVALLOIS, C.PARANTHOEN, A.RUMEAU, C.TOURTE, G.ALMUNEAU

PHOTO, IES, INSA Rennes, 2I

Revue Scientifique : Electronics Letters, Vol.48, N°25, pp.1616-1618, Décembre 2012 , N° 12715

Diffusion restreinte

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AlOx/GaAs high contrast grating mirrors for mid infrared VCSELs

Y.LAAROUSSI, O.GAUTHIER-LAFAYE, L.BOUSCAYROL, C.FONTAINE, L.CERUTTI, T.TALIERCIO, C.CHEVALLIER, F.GENTIL, N.FRESSENGEAS, G.ALMUNEAU

PH, TEAM, IES, Université de Montpe, Supélec, Metz

Manifestation avec acte : International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON 2012), Coventry (UK), 2-5 Juillet 2012, 3p. , N° 12382

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Three dimensional confinement inIII-V photonic devices with combined oxidation and epitaxial regrowth

F.CHOUCHANE, G.ALMUNEAU, O.GAUTHIER-LAFAYE, A.ARNOULT, P.BOONPENG, G.LACOSTE, C.FONTAINE

PH, TEAM, Chulalongkorn Univ

Manifestation avec acte : E-MRS Spring Meeting 2012, Strasbourg (France), 14-18 Mai 2012, 1p. (Résumé) , N° 12321

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Towards free-engineered areas of buried dielectric AlOx in III-V structures

F.CHOUCHANE, G.ALMUNEAU, O.GAUTHIER-LAFAYE, A.ARNOULT, G.LACOSTE, C.FONTAINE

PH, TEAM

Manifestation avec acte : Site Controlled Epitaxy Workshop, Heraklion (Grèce), 30 Avril 2012, 1p. (Résumé) , N° 12319

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A new approach of planar oxidation of buried AlxGa1–xAs/GaAs epitaxial structures for optical and electrical confinement applications

F.CHOUCHANE, J.B.DOUCET, A.ARNOULT, G.LACOSTE, C.FONTAINE, G.ALMUNEAU

PH, TEAM

Revue Scientifique : Physica Status Solidi (c), Vol.9, N°2, pp.338-341, Février 2012 , N° 12042

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Optimized GaAs high contrast grating design and fabrication for mid-infrared application at 2.3 um

C.CHEVALLIER, N.FRESSENGEAS, F.GENTIL, J.JACQUET, Y.LAAROUSSI, G.ALMUNEAU, D.SANCHEZ, L.CERUTTI, T.TALIERCIO

Supélec, Metz, LMOPS, PHOTO, IES

Manifestation sans acte : Frontiers in Optics ( FiO ) 2011 du 16 octobre au 20 octobre 2011, San José (USA), Octobre 2011, 2p. , N° 11872

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Observation of overstrain in the coalescence zone of AlAs/AlOx oxidation fronts

F.CHOUCHANE, G.ALMUNEAU, O.GAUTHIER-LAFAYE, A.MONMAYRANT, A.ARNOULT, G.LACOSTE, C.FONTAINE

TEAM, PH

Revue Scientifique : Applied Physics Letters, Vol.98, N°26, 261921p., Juin 2011 , N° 11163

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Advances in buried oxide confinement engineering in AlxGa1-xAs/GaAs epitaxial structures

F.CHOUCHANE, J.B.DOUCET, A.ARNOULT, G.LACOSTE, C.FONTAINE, G.ALMUNEAU

PH, TEAM

Manifestation avec acte : International Symposium on Compound Semiconductors, Compound Semiconductor Week (CSW 2011), Berlin (Allemagne), 22-26 Mai 2011, 2p. , N° 11179

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Wet thermal oxidation of AlAsSb for lateral confinement in GaSb-based VCSELs

Y.LAAROUSSI, L.CERUTTI, I.SUAREZ-ALVAREZ, J.B.DOUCET, P.FADEL, G.ALMUNEAU

IES, TEAM, PH

Manifestation avec acte : International Symposium on Compound Semiconductors, Compound Semiconductor Week (CSW 2011), Berlin (Allemagne), 22-26 Mai 2011, 2p. , N° 11178

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Efficient lateral confinement by oxide aperture in mid-infrared GaSb-based vertical emitting light source

Y.LAAROUSSI, G.ALMUNEAU, D.SANCHEZ, L.CERUTTI

IES, PH

Revue Scientifique : Journal of Physics D: Applied Physics, Vol.44, N°14, 142001p., Avril 2011 , N° 11157

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