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Polarization independent narrow-band filters using sub-wavelength resonant gratings
O.GAUTHIER-LAFAYE, S.HERNANDEZ, S.BONNEFONT, P.ARGUEL, F.LOZES-DUPUY, A.L.FEHREMBACH, A.SENTENAC
PH, Fresnel
Manifestation sans acte : (Invited paper) International Workshop on Nano Materials and Optoelectronics Devices, Gwangju (Corée), 25-26 Octobre 2007, 1p. , N° 07623
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111967Proton irradiations effects on InAs/InP quatum dash laser diodes emitting at 1.55 um
M.BOUTILLIER, O.GAUTHIER-LAFAYE, S.BONNEFONT, F.LELARGE, B.DAGENS, D.MAKE, O.LE GOUEZIGOU, B.ROUSSEAU, A.ACCARD, F.POINGT, F.POMMEREAU, F.LOZES-DUPUY
PH, ALCATEL THALES III-V
Manifestation avec acte : RADECS 2007, Deauville (France), 10-14 Septembre 2007, 5p. , N° 07655
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Abstract
Quantum dash lasers were irradiated for the first time, using 31 MeV protons. These novel structures, which show promising performances for 1.55 ¼m optical communications exhibit better robustness to irradiations than quantum wells lasers.
ICP-RIE etching for high aspect ratio GaAs nanowires based on Cl2/N2 chemistry
L.JALABERT, P.DUBREUIL, F.CARCENAC, S.PINAUD, L.SALVAGNAC, O.GAUTHIER-LAFAYE, S.BONNEFONT
TEAM, PH
Manifestation avec acte : 33rd International Conference on Micro and Nano Engineering (MNE2007), Copenhague (Danemark), 23-26 Septembre 2007, 2p. , N° 07491
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Mots-Clés / Keywords
ICP-RIE; Plasma etching; Cl2/N2 chemistry; GaAs nano-columns; GaAs nanowires;
Electron irradiation effects on Al-free laser diodes emitting at 852 nm
M.BOUTILLIER, O.GAUTHIER-LAFAYE, S.BONNEFONT, F.LOZES-DUPUY, L.LOMBEZ, D.LAGARDE, X.MARIE, F.J.VERMERSCH, M.CALLIGARO, M.LECOMTE, O.PARILLAUD, M.KRAKOWSKI, O.GILARD
PH, LNMO, III-V Lab, CNES
Revue Scientifique : IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol.54, N°4, pp.1110-1114, Août 2007 , N° 06516
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Abstract
852-nm emitting Al-free laser diodes and layers constituting the device are irradiated with 1-MeV electrons at fluences ranging from 10 $^{14}$ up to 10$^{16}$ ${rm e}^{-}$/cm$^{2}$. Layers corresponding to the laser diodes materials were characterised using photoluminescence and time resolved photoluminescence. Laser diodes L-I-V characteristics were measured in pulsed and continuous regime.
Mots-Clés / Keywords
Electron radiation effects; Optoelectronic devices; Semiconductor lasers;
Ingénierie fine de la longueur d'onde d'émission d'un laser tout cristal photonique fonctionnant sous pompage électrique
O.BOUCHARD, P.H.MERRER, O.GAUTHIER-LAFAYE, S.BONNEFONT, F.LOZES-DUPUY
PH, MOST
Manifestation avec acte : Optique. 26èmes Journées Nationales d'Optique Guidée (JNOG 2007), Grenoble (France), 2-5 Juillet 2007, pp.90-92 , N° 07314
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110693Luminescence des nanocristaux de silicium déposés par LPCVD : effet des traitements thermiques
K.KOUKOS, G.SAUNIER, E.BEDEL-PEREIRA, C.BONAFOS, S.SCHAMM, L.BOUSCAYROL, E.SCHEID, O.GAUTHIER-LAFAYE, S.BONNEFONT, G.SARRABAYROUSE, F.LOZES-DUPUY
PH, M2D, CEMES/CNRS, TEAM
Manifestation avec acte : Optique. Journées Nationales des Cristaux pour l'Optique (JNCO), Grenoble (France), 2-5 Juillet 2007, pp.134-135 , N° 07313
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110690Filtres optiques à réseau résonnant pour les télécommunications spatiales à 850 nm
S.HERNANDEZ, O.GAUTHIER-LAFAYE, L.BOUSCAYROL, L.JALABERT, P.ARGUEL, S.BONNEFONT, F.LOZES-DUPUY
PH, TEAM
Manifestation avec acte : Optique. Horizons de l'Optique, Grenoble (France), 2-5 Juillet 2007, pp.157-158 , N° 07315
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110695Proton irradiations effects on Al-free laser diodes emitting at 852 nm for caesium atomic clocks applications
M.BOUTILLIER, C.BARQUIN, X.DOLLAT, O.GAUTHIER-LAFAYE, S.BONNEFONT, F.LOZES-DUPUY, V.LIGERET, M.CALLIGARO, M.LECOMTE, O.PARILLAUD, M.KRAKOWSKI, O.GILARD
2I, ALCATEL THALES III-V, PH, III-V Lab, CNES
Manifestation avec acte : 44th Annual International Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC 2007), Honolulu (USA), 23-27 Juillet 2007, 5p. , N° 07132
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1111401.55 um tensile strained GaInNAs/InP laser diodes performances
B.MESSANT, M.BOUTILLIER, O.GAUTHIER-LAFAYE, S.BONNEFONT, B.DAGENS, F.ALEXANDRE, H.CARRERE, X.MARIE, F.LOZES-DUPUY
PH, ALCATEL, ALCATEL, LNMO
Manifestation avec acte : Conference on Lasers and Electro-Optics. International Quantum Electronics Conference (CLEO/Europe - IQEC 2007), Munich (Allemagne), 17-22 Juin 2007 (Résumé) , N° 07164
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110698Light emission from LPCVD silicon nanocrystals: the effect of composition and annealing
K.KOUKOS, E.BEDEL-PEREIRA, L.BOUSCAYROL, E.SCHEID, O.GAUTHIER-LAFAYE, S.BONNEFONT, G.SARRABAYROUSE, F.LOZES-DUPUY
TEAM, M2D, PH
Manifestation avec acte : Conference on Lasers and Electro-Optics. International Quantum Electronics Conference (CLEO/Europe - IQEC 2007), Munich (Allemagne), 17-22 Juin 2007 , N° 07165
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