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The DT-SJMOSFET : a new power MOSFET strucure for high-voltage applications
L.THEOLIER, F.MORANCHO, K.ISOIRD, H.E.DKOTB MAHFOZ, H.TRANDUC
ISGE
Manifestation avec acte : 2nd International Conference on Automotive Power Electronics (APE 2007), Paris (France), 26-27 Septembre 2007, 8p. , N° 07283
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Abstract
New hybrid vehicles will probably use high voltage batteries (150 to 200 Volts). For these future automotive applications, the development of 600 Volts power MOSFET switches exhibiting low on-resistance is desired. The "Deep Trench SuperJunction" MOSFET (DT-SJMOSFET) is one of the new candidates. In this paper, a comparative theoretical study, using 2D simulations, shows that the DT-SJMOSFET should be a challenger to the conventional SJMOSFET in terms of "specific on-resistance / breakdown voltage" trade-off. Simulations of the DT-SJMOSFET breakdown voltage versus the technological parameters exhibit the difficulties to fabricate the device. Finally, an original edge cell is proposed that contains the peripheral potential.
Mots-Clés / Keywords
Power semiconductor devices; MOSFET; SuperJunction devices; Simulation;
Performance of 3D capacitors integrated on silicon for DC-DC converter applications
A.BENAZZI, M.BRUNET, P.DUBREUIL, N.MAURAN, L.BARY, J.P.LAUR, J.L.SANCHEZ, K.ISOIRD
ISGE, TEAM, 2I
Manifestation avec acte : 12th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE 2007), Aalborg (France), 2-5 Septembre 2007, 9p. , N° 07511
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Mots-Clés / Keywords
Trench; Schottky contact; Phosphorus diffusion; DC-DC power converter; Deep reactive ion etching; Integrated capacitor;
Deep trench MOSFET structures study for a 1200 volts application
L.THEOLIER, K.ISOIRD, F.MORANCHO, J.ROIG GUITART, H.E.DKOTB MAHFOZ, M.BRUNET, P.DUBREUIL
ISGE, TEAM
Manifestation avec acte : 12th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE 2007), Aalborg (Danemark), 2-5 Septembre 2007, 9p. , N° 07284
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Mots-Clés / Keywords
Power semiconductor devices; MOSFET; Super junction devices; Traction application;
Rapport intermédiaire du laboratoire commun LISPA
P.ALOISI, C.ALONSO, M.BAFLEUR, V.BOITIER, F.CAIGNET, P.DUBREUIL, B.ESTIBALS, E.IMBERNON, K.ISOIRD, H.E.DKOTB MAHFOZ, N.MAURAN, F.MORANCHO, N.NOLHIER, J.ROIG GUITART, B.ROUSSET, C.SALAMERO, J.L.SANCHEZ, E.SCHEID, H.TRANDUC, B.CHAUDRET, M.KHAN, A.MAISONNAT, C.ESTOURNES, J.L.CHAPTAL, A.DERAM, R.ESCOFFIER, U.MONIRAT, P.RENAUD, J.M.REYNES, E.STEFANOV, B.VRIGNON, J.CALVENTE
ISGE, TEAM, 2I, M2D, LCC, CIRIMAT, FREESCALE, DEEEA
Rapport de Contrat : Laboratoire Commun LISPA, Mai 2007, 20p. , N° 07273
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110604Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) à tranchées profondes
L.THEOLIER, K.ISOIRD, F.MORANCHO, J.ROIG GUITART
ISGE
Manifestation sans acte : GDR Intégration des Systèmes de Puissance à 3 dimensions (ISP3D), Montpellier (France) , 18-19 Octobre 2006, 3p. , N° 06774
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108522Switching performance of 65 volts vertical N-channel FLYMOSFETs
L.THEOLIER, K.ISOIRD, H.TRANDUC, F.MORANCHO, J.ROIG GUITART, Y.WEBER, E.STEFANOV, J.M.REYNES
ISGE, FREESCALE
Manifestation avec acte : 8th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'06), Prague (République Tchèque), 29 Août - 1er Septembre 2006, pp.117-122 , N° 06447
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108363Performances dynamiques des transistors FLYMOSTM 65 volts à canal N
L.THEOLIER, K.ISOIRD, H.TRANDUC, F.MORANCHO, J.ROIG GUITART, Y.WEBER, E.STEFANOV, J.M.REYNES
ISGE, FREESCALE
Manifestation avec acte : Electronique de Puissance du Futur (EPF'2006), Grenoble (France), 5-6 Juillet 2006, 5p. , N° 06402
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108036Experimental validation of the "floating islands" concept: realization of low on-resistance FLYMOS" transistors
S.ALVES, F.MORANCHO, J.M.REYNES, J.MARGHERITTA, I.DERAM, K.ISOIRD, B.BEYDOUN
ISGE, FREESCALE, LPM Liban
Revue Scientifique : European Physical Journal - Applied Physics, Vol.32, N°1, pp.7-13, Octobre 2005 , N° 06206
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106421Experimental validation of the "FLoating Island" concept: a 95 volts vertical breakdown voltage FLIDiode
S.ALVES, F.MORANCHO, J.M.REYNES, J.MARGHERITTA, I.DERAM, K.ISOIRD
CIP, FREESCALE
Revue Scientifique : IEE Proceedings Circuits Devices & Systems, Vol.153, N°1, pp.53-60, Octobre 2005 , N° 04107
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105333Technological realization of low on-resistance FLYMOsTM transistors dedicated to automotive applications
S.ALVES, F.MORANCHO, J.M.REYNES, J.MARGHERITTA, I.DERAM, K.ISOIRD, H.TRANDUC
CIP, FREESCALE
Manifestation avec acte : 11th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'2005), Dresde (Allemagne), 11-14 Septembre 2005, 10p. , N° 05236
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