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Basic parameters and models in simulation of CVD diamond devices
H.DING, K.ISOIRD, H.SCHNEIDER, S.KONE, G.CIVRAC
ISGE
Revue Scientifique : Diamond and Related Materials, Vol.19, N°5-6, pp.500-502, Mai 2010 , N° 10100
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123587Schottky Barrier Diode for CVD diamond electronic properties and interfaces characterization
S.KONE, H.SCHNEIDER, K.ISOIRD, J.ACHARD
ISGE, LIMHP
Manifestation sans acte : Hasselt Diamond Workshop 2010. SBDD XV, Hasselt (Belgique), Février 2010, 1p. (Résumé) , N° 10111
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121994Le diamant pour l'élecronque de puissance- Développement des technologies associées
G.CIVRAC, Z.ZHANG, H.DING, H.SCHNEIDER, M.L.LOCATELLI, K.ISOIRD, P.TOUNSI
ISGE, LAPLACE
Revue Scientifique : Revue de l'Electricité et de l'Electronique, N°10, pp.68-72, 10 Novembre 2009 , N° 09798
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120106High performance CVD diamond schottky barrier diode. Simulation and carrying out
S.KONE, H.DING, H.SCHNEIDER, K.ISOIRD, G.CIVRAC
ISGE
Manifestation avec acte : European Conference on Power Electronics and Applications (EPE 2009), Barcelone (Espagne), 8-10 Septembre 2009, 8p. , N° 09433
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Mots-Clés / Keywords
Power semiconductor devices; Simulation; Device characterisation; Diamond;
Basic parameters and models in simulation of CVD diamond devices
H.DING, K.ISOIRD, H.SCHNEIDER, S.KONE, G.CIVRAC
ISGE
Manifestation sans acte : 2Oth European Conference on Diamond (Diamond 2009), Athènes (Grèce), 6-10 Septembre 2009 (Résumé) , N° 09439
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119693Filling of very deep, wide trenches by BenzoCycloButene (BCB) polymer
H.MAHFOZ-KOTB, K.ISOIRD, F.MORANCHO, L.THEOLIER, T.DO CONTO
Assiut University, ISGE, Tours, TEAM
Revue Scientifique : Journal of Microsystem Technologies, Vol.15, N°9, pp.1395-1400, Septembre 2009 , N° 09462
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121494A new junction termination technique: the Deep Trench Termination (DT2)
L.THEOLIER, H.MAHFOZ-KOTB, K.ISOIRD, F.MORANCHO
ISGE, Assiut University
Manifestation avec acte : 21st International Symposium on Power Semiconductor devices and ICs (ISPD'09), Barcelone (Espagne), 14-17 Juin 2009 , N° 09373
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118196Mise en place d'une filière pour la réalisation de composants de puissance en diamant
G.CIVRAC, H.SCHNEIDER, S.KONE, H.DING, K.ISOIRD, J.ACHARD
ISGE, LAPLACE, LIMHP
Revue Scientifique : European Journal of Electrical Engineering, Vol.12, N°2, pp.237-253, Juin 2009 , N° 08782
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Mots-Clés / Keywords
Diamant; Grand gap;
A new junction termination using a deep trench filled with BenzoCycloButene
L.THEOLIER, H.MAHFOZ-KOTB, K.ISOIRD, F.MORANCHO, S.ASSIE-SOULEILLE, N.MAURAN
Tours, Assiut University, ISGE, 2I
Revue Scientifique : IEEE Electron Device Letters, Vol.30, N°6, pp.687-689, Juin 2009 , N° 09505
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Abstract
A new junction termination for high-voltage devices using a deep trench filled with dielectric, which dramatically decreases the junction-termination area, is proposed and fabricated. The termination breakdown voltage dependence on the dielectric critical electric field (E Cd) and its permittivity (epsivrd) is theoretically studied. Finally, the proposed junction termination is experimentally validated using BenzoCycloButene (BCB) as dielectric material. Experimental results show that the proposed termination sustains more than 1200 V with a 70-mum-width and 100- mum-depth trench filled by BCB.
Analysis of the C-V characteristics SiO2/GaN MOS capacitors
I.CORTES, E.AL ALAM, M.P.BESLAN, A.GOULLET, F.MORANCHO, A.CAZARRE, Y.CORDIER, K.ISOIRD
ISGE, IMN-CNRS, Nantes, CRHEA, N2IS
Manifestation avec acte : 7th Spanish Conference on Electron Devices (CDE 09), Santiago de Compostela (Espagne), 11-13 Février 2009, pp.279-280 , N° 08698
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