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Effect of surface preparation and interfacial layer on the quality of GaN/SiO2 interfaces
E.AL ALAM, I.CORTES, M.P.BESLAND, A.GOULLET, L.LAJAUNIE, P.REGRENY, Y.CORDIER, J.BRAULT, A.CAZARRE, K.ISOIRD, G.SARRABAYROUSE, F.MORANCHO
ISGE, IMN-CNRS, Nantes, INL, CRHEA, N2IS, M2D
Revue Scientifique : Journal of Applied Physics, Vol.109, N°8, 084511p., Avril 2011 , N° 11330
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124864Thick boron doped diamond single crystals for high power electronics
J.ACHARD, F.SILVA, R.ISSAOUI, O.BRINZA, A.TALLAIRE, H.SCHNEIDER, K.ISOIRD, H.DING, S.KONE, M.A.PINAULT, F.JOMARD, A.GICQUEL
LIMHP, ISGE, GEMAC
Revue Scientifique : Diamond and Related Materials, Vol.20, N°2, pp.145-152, Janvier 2011 , N° 10306
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123589Simulation and design of junction termination structures for diamond schottky diodes
F.THION, K.ISOIRD, D.PLANSON, M.L.LOCATELLI, H.DING
ISGE, Université Lyon, LAPLACE
Manifestation avec acte : European Conference on Diamond Diamond-like Materials Carbon Nanotubes and Nitrides (DIAMOND 2010), Budapest (Hongrie), 5-9 Septembre 2010, 1p. (Résumé) , N° 10444
Lien : http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00661491
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Abstract
In this paper, the first step of the design of a junction termination structure usable on diamond Schottky diodes is introduced. Through the collaboration of AMPERE and LAAS laboratories, a study of junction termination structures using field plates and semi-resistive materials was carried out. Several results from simulations of p-type Schottky diodes protected by MESA etching and coated with several layers of dielectric materials are shown in this paper. The analysis of those simulations, conducted on pseudo-vertical diodes protected by a field plate on a semi-resistive layer deposited on top of a dielectric, shows a great efficiency of such junction termination structures.
Simulation conception diamond Schottky diode for high-voltage and high temperature applications
H.DING, S.KONE, K.ISOIRD, F.THION, H.SCHNEIDER
ISGE
Manifestation avec acte : European Conference on Diamond Diamond-like Materials Carbon Nanotubes and Nitrides (DIAMOND 2010), Budapest (Hongrie), 5-9 Septembre 2010, 1p. (Résumé) , N° 10340
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124063Protection périphérique pour composants de puissance en diamant
F.THION, K.ISOIRD, D.PLANSON, M.L.LOCATELLI
LAPLACE, ISGE, Université Lyon
Manifestation avec acte : Electronique de Puissance du Futur (EPF 2010), Saint Nazaire (France), 30 Juin - 2 Juillet 2010, 4p. , N° 10382
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121924Diode Schottky hautes performances sur diamand CVD - Simulation et Réalisation technologique
S.KONE, H.DING, H.SCHNEIDER, K.ISOIRD, J.ACHARD
ISGE, LIMHP
Manifestation avec acte : Electronique de Puissance du Futur (EPF 2010), Saint Nazaire (France), 30 Juin - 2 Juillet 2010, 2p. , N° 10112
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121925CVD diamond schottky diode, carrying out and characterization
S.KONE, G.CIVRAC, H.SCHNEIDER, K.ISOIRD, R.ISSAOUI, A.GICQUEL
LIMHP, ISGE
Revue Scientifique : Diamond and Related Materials, Vol.19, N°7-9, pp.792-795, Juillet 2010 , N° 10082
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123588Thick boron doped diamond single crystals for high power electronics
J.ACHARD, F.SILVA, R.ISSAOUI, O.BRINZA, A.TALLAIRE, H.SCHNEIDER, K.ISOIRD, H.DING, S.KONE, M.A.PINAULT, F.JOMARD, A.GICQUEL
LIMHP, ISGE, GEMAC
Conférence invitée : International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC 2010), Suzhou (Chine), 16-20 Mai 2010, 16p. , N° 10306
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121518Conception transistor MOS haute tension (1200 Volts) pour l'électronique de puissance
L.THEOLIER, H.MAHFOZ-KOTB, K.ISOIRD, F.MORANCHO
ISGE, Assiut University
Revue Scientifique : European Journal of Electrical Engineering, Vol.13, N°2, pp.227-252, Mai 2010 , N° 10305
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121516Comparison of GaN-based MOS structures with different interfacial layer treatments
E.AL ALAM, I.CORTES, M.P.BESLAND, P.REGRENY, A.GOULLET, F.MORANCHO, A.CAZARRE, Y.CORDIER, K.ISOIRD
ISGE, IMN-CNRS, Nantes, INL, N2IS, CRHEA
Manifestation avec acte : International Conference on Microelectronics (MIEL 2010), Nis (Serbie), 16-19 Mai 2010, pp.459-462 , N° 10163
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