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Effect of surface preparation and PECVD deposition parameters on electrical properties of GaN-based MOS structures on Sapphire and silicon substrates
E.AL ALAM, I.CORTES, T.BEGOU, A.GOULLET, A.CAZARRE, F.MORANCHO, F.OLIVIE, Y.CORDIER, M.P.BESLAND, K.ISOIRD
IMB-CSIC, IMN-CNRS, Nantes, N2IS, CRN2, Sherbrooke, ISGE, MPN, CRHEA
Rapport LAAS N°12473, Septembre 2012, 2p.
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128014Boron doping diamond by thermal fusion
I.MADANI, H.SCHNEIDER, K.ISOIRD
ISGE
Manifestation avec acte : International Conference on Diamond and Carbon Materials, Grenade (Espagne), 3-6 Septembre 2012, 2p. , N° 12261
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128091Analysis and optimization of a novel high voltage striped STI-LDMOS transistor on SOI CMOS technology
G.TOULON, I.CORTES, F.MORANCHO, K.ISOIRD, A.BOURENNANE
IMB-CSIC, ISGE
Manifestation avec acte : International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Prague (République Tchèque), 29-31 Août 2012, pp.122-128 , N° 12210
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127955Impact of a backside Schotty contact on the thyristor characteristics at high temperatures
G.TOULON, A.BOURENNANE, K.ISOIRD
ISGE
Manifestation avec acte : International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2012), Prague (République Tchèque), 29-31 Août 2012, pp.131-136 , N° 12209
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127954Analysis study of sensitive volume and triggering criteria of SEB in super-junction MOSFETs
M.ZERARKA, P.AUSTIN, F.MORANCHO, K.ISOIRD, H.ARBESS, J.TASSELLI
ISGE
Manifestation avec acte : Prague (République Tchèque), 6p. , N° 12570
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128310Amélioration des performances du thyristor à l'état bloqué en haute température
G.TOULON, K.ISOIRD, A.BOURENNANE
ISGE
Manifestation avec acte : Conférence Electronique de Puissance du Futur (EPF 2012), Bordeaux (France), 5-7 Juillet 2012, 2p. , N° 12113
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127660An assessment of contact metallization for high power and high temperature diamond Schottky device
S.KONE, H.SCHNEIDER, K.ISOIRD, F.THION, J.ACHARD, R.ISSAOUI, S.MSOLLI, J.ALEXIS
ISGE, LSPM, ENI
Revue Scientifique : Diamond and Related Materials, Vol.27-28, pp.23-28, Juillet 2012 , N° 11643
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128107Effect of surface preparation and PECVD deposition parameters on electrical properties of MOS structures in GaN on Sapphire and Silicon substrates
E.AL ALAM, I.CORTES, T.BEGOU, A.GOULLET, A.CAZARRE, K.ISOIRD, Y.CORDIER, M.P.BESLAND, F.MORANCHO
ISGE, IMB-CSIC, IMN-CNRS, Nantes, N2IS, CRHEA
Rapport LAAS N°12270, Juin 2012, 3p.
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127343An assessment of contact metallization for high power and high temperature diamond Schottky device
S.KONE, H.SCHNEIDER, K.ISOIRD, F.THION, J.ACHARD, R.ISSAOUI, S.MSOLLI, J.ALEXIS
ISGE, LSPM, ENI
Manifestation avec acte : European Conference on Diamond Diamond-like Materials Carbon Nanotubes and Nitrides (DIAMOND 2011), Garmisch (Allemagne), 4-8 Septembre 2011, 11p. , N° 11643
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125927Simulation and design of junction termination structures for diamond schottky diodes
F.THION, K.ISOIRD, D.PLANSON, M.L.LOCATELLI, H.DING
ISGE, Université Lyon, LAPLACE
Revue Scientifique : Diamond & Related Materials, Vol.20, N°5-6, pp.729-732, Mai 2011 , N° 10444
Lien : http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00661491
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Abstract
In this paper, the first step of the design of a junction termination structure usable on diamond Schottky diodes is introduced. Through the collaboration of AMPERE and LAAS laboratories, a study of junction termination structures using field plates and semi-resistive materials was carried out. Several results from simulations of p-type Schottky diodes protected by MESA etching and coated with several layers of dielectric materials are shown in this paper. The analysis of those simulations, conducted on pseudo-vertical diodes protected by a field plate on a semi-resistive layer deposited on top of a dielectric, shows a great efficiency of such junction termination structures.