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Design of an integrated self-switching mode device for power converters
F.CAPY, A.BOURENNANE, M.BREIL, F.RICHARDEAU, E.IMBERNON, J.L.SANCHEZ, J.P.LAUR, P.AUSTIN
ISGE, LEEI, TEAM
Manifestation avec acte : 14th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems, Ciechocinek (Pologne), 21-23 Juin 2007, 6p. , N° 07148
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Abstract
In this paper, we present a design procedure for the integration of a new specific function based on the association of a ZVS mode thyristor and a circuit breaker dedicated to self-switching mode power converters. This function, based on the functional integration concept, monolithically associates protection, self-drive and power switch functions. This function uses an original switching mode of operation. After presenting the characteristics of the function and the function specifications, we focus on the different design steps: function optimization and cells sizing using 2D electrical and technological simulations, and mask design.
Mots-Clés / Keywords
Power functional integration; ZVS mode thyristor-circuit breaker function; 2D numerical simulation; Design;
Rapport intermédiaire du laboratoire commun LISPA
P.ALOISI, C.ALONSO, M.BAFLEUR, V.BOITIER, F.CAIGNET, P.DUBREUIL, B.ESTIBALS, E.IMBERNON, K.ISOIRD, H.E.DKOTB MAHFOZ, N.MAURAN, F.MORANCHO, N.NOLHIER, J.ROIG GUITART, B.ROUSSET, C.SALAMERO, J.L.SANCHEZ, E.SCHEID, H.TRANDUC, B.CHAUDRET, M.KHAN, A.MAISONNAT, C.ESTOURNES, J.L.CHAPTAL, A.DERAM, R.ESCOFFIER, U.MONIRAT, P.RENAUD, J.M.REYNES, E.STEFANOV, B.VRIGNON, J.CALVENTE
ISGE, TEAM, 2I, M2D, LCC, CIRIMAT, FREESCALE, DEEEA
Rapport de Contrat : Laboratoire Commun LISPA, Mai 2007, 20p. , N° 07273
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110604Bi-IGBT: a new low losses power switch integrating fast and slow IGBT structures
C.CARAMEL, R.DE MAGLIE, P.AUSTIN, J.L.SANCHEZ, E.IMBERNON, J.P.LAUR, D.FLORES, S.HIDALGO, J.REBOLLO
ISGE, CIP, Université de Barcel
Manifestation avec acte : 8th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'06), Prague (République Tchèque), 29 Août - 1er Septembre 2006, pp.139-144 , N° 06408
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108362On the integration of a PIN diode and an IGBT for a specific application
A.BOURENNANE, J.L.SANCHEZ, F.RICHARDEAU, E.IMBERNON, M.BREIL
ISGE, LEEI, CIP
Manifestation avec acte : 8th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'06), Prague (République Tchèque), 29 Août - 1er Septembre 2006, pp.145-150 , N° 06721
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108365Analyse des interractions et techniques d'isolation applicables à une structure de protection contre les court-circuits intégrée
C.CARAMEL, P.AUSTIN, J.L.SANCHEZ, E.IMBERNON, B.ROUSSET
ISGE, TEAM
Manifestation avec acte : Electronique de Puissance du Futur (EFP 2006), Grenoble (France), 5-6 Juillet 2006, 4p. , N° 06242
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110243Interaction analysis and insulation techniques for short-circuit integrated protection structure
C.CARAMEL, P.AUSTIN, J.L.SANCHEZ, E.IMBERNON, B.ROUSSET
ISGE, TEAM
Manifestation avec acte : 18th international Symposium on Power Semiconductor Devices and Integrated Circuits (ISPSD '06), Naples (Italie), 4-8 Juin 2006 , N° 06243
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110245Techniques d'isolations applicables à une structure intégrée de protection des IGBT contre les courts-circuits
C.CARAMEL, P.AUSTIN, J.L.SANCHEZ, E.IMBERNON
ISGE, TEAM
Manifestations avec acte à diffusion limitée : 9èmes Journées Nationales du Réseau Doctorat en Microélectronique (JNRD'2006), Rennes (France), 10-12 Mai 2006, 4p. , N° 06239
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110101Integrated IGBT short-circuit protection structure: design and optimization
C.CARAMEL, P.AUSTIN, J.L.SANCHEZ, E.IMBERNON, M.BREIL
CIP, ISGE
Revue Scientifique : Microelectronics Journal, Vol.37, N°3, pp.249-256, Mars 2006 , N° 05691
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106175Techniques d'isolations applicables à une structure intégrée de protection des IGBT contre les courts-circuits
C.CARAMEL, P.AUSTIN, J.L.SANCHEZ, E.IMBERNON
CIP
Manifestations avec acte à diffusion limitée : GDR Intégration des Systèmes de Puissance à 3 dimensions (ISP3D), Lyon (France), 20-21 Octobre 2005, 4p. , N° 05690
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105469New lateral DMOS and IGBT structures realized on a partial SOI substrate based on LEGO process
I.BERTRAND, V.PATHIRANA, E.IMBERNON, F.UDREA, M.BAFLEUR, R.NG, H.GRANIER, B.ROUSSET, J.M.DILHAC
TMN, CAMBRIDGE, CIP, TEAM
Manifestation avec acte : 2005 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM'2005), Santa Barbara (USA), 10-11 Octobre 2005, pp.74-77 , N° 05217
Lien : http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00385958/fr/
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Abstract
In this paper, we present new lateral DMOS and IGBT structures based on a partial SOI substrate. The partial SOI substrate, formed through LEGO recrystallization process improves considerably the breakdown capability and the thermal behavior of these devices compared to full SOI devices. Experimental results of high voltage power devices implemented on such a process are presented for the first time.