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High temperature wafer bonding technique for the realization of a voltage and current bidirectional IGBT
A.BOURENNANE, H.TAHIR, J.L.SANCHEZ, E.IMBERNON, G.SARRABAYROUSE
ISGE, TEAM, M2D
Manifestation avec acte : International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD 2011), San Diego (USA), 23-26 Mai 2011, pp.140-143 , N° 11054
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124855Experimental demonstration of an anode voltage for high voltage IGBT over-voltage protection
C.CARAMEL, D.FLORES, S.HIDALGO, J.LE GAL, P.AUSTIN, E.IMBERNON, J.REBOLLO, J.L.SANCHEZ
ISGE, Université de Barcel, TEAM
Revue Scientifique : Semiconductor Science and Technology, Vol.25, N°11, 115014p., Novembre 2010 , N° 10582
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123613A monolithically integrated bidirectional IGBT: effect of spatial IGBT elementary cells repartitioning and technology of realization on device performance
H.TAHIR, A.BOURENNANE, J.L.SANCHEZ, G.SARRABAYROUSE, E.IMBERNON
ISGE, M2D, TEAM
Manifestation avec acte : International Power Electronics and Motion Control Conference (EPE-PEMC 2010), Orhid (Macédoine), 6-8 Septembre 2010, pp.29-33 , N° 10803
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123502Thyristor dual disjoncteur intégré pour convertisseur à commutation automatique
F.CAPY, M.BREIL, F.RICHARDEAU, E.IMBERNON, J.P.LAUR, J.L.SANCHEZ
LAPLACE, ISGE, TEAM
Revue Scientifique : European Journal of Electrical Engineering, Vol.12, N°2, pp.137-147, Décembre 2009 , N° 09039
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119676New self-controlled and self-protected IGBT based integrated switch
F.CAPY, J.P.LAUR, M.BREIL, F.RICHARDEAU, M.BRUNET, E.IMBERNON, A.BOURENNANE, C.CARAMEL, P.AUSTIN, J.L.SANCHEZ
ISGE, LAPLACE, TEAM
Manifestation avec acte : 21st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD'09), Barcelone (Espagne), 14-17 Juin 2009, pp.243-246 , N° 09079
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Abstract
In this paper, we present the realization of a new self-controlled integrated power switch dedicated to selfswitching mode power converters. To achieve this function, an original topology based on an IGBT is proposed. Its operating modes are analyzed using 2D physical simulation. To realize this new power switch, a technological process compatible with the IGBT process and with 3D capacitors realization is proposed.
Rapport final du laboratoire commun LISPA
P.ALOISI, C.ALONSO, M.BAFLEUR, V.BOITIER, F.CAIGNET, P.DUBREUIL, B.ESTIBALS, E.IMBERNON, K.ISOIRD, H.E.DKOTB MAHFOZ, N.MAURAN, F.MORANCHO, N.NOLHIER, J.ROIG GUITART, B.ROUSSET, C.SALAMERO, J.L.SANCHEZ, E.SCHEID, H.TRANDUC, B.CHAUDRET, M.KHAN, A.MAISONNAT, C.ESTOURNES, J.L.CHAPTAL, A.DERAM, R.ESCOFFIER, U.MONIRAT, P.RENAUD, J.M.REYNES, J.SHEPHERD, E.STEFANOV, B.VRIGNON, L.CALVENTE, L.MARTINEZ, E.VIDAL, P.ARTILLAN, B.BERNOUX, A.GENDRON, N.LACRAMPE, L.SAINT-MACARY, J.B.SAUVEPLANE, A.SIMON
ISGE, TEAM, 2I, M2D, LCC, CIRIMAT, FREESCALE, TARRAGONE, FREESCALE USA
Rapport de Contrat : Laboraoire commun LISPA, Octobre 2008, 40p. , N° 08526
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115245Evolution of an integrated short-circuits protection structure: specific design of a LDMOS transistor
J.LE GAL, C.CARAMEL, A.BOURENNANE, P.AUSTIN, J.L.SANCHEZ, M.BREIL, J.SAIZ, M.MERMET-GUYENNET, E.IMBERNON
ISGE, ALSTOM Transport, PEARL
Manifestation avec acte : 9th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'08), Prague (République Tchèque), 27-29 Août 2008 , N° 08502
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Mots-Clés / Keywords
Integration power devices; Protection structure; LDMOS transistor;
Thyristor dual disjoncteur intégré pour convertisseur à commutation automatique
F.CAPY, M.BREIL, F.RICHARDEAU, J.L.SANCHEZ, E.IMBERNON
ISGE, LAPLACE, TEAM
Manifestation avec acte : XIIème colloque Electronique de Puissance du Futur (EPF 2008), Tours (France), 2-3 Juillet 2008, 4p. , N° 08077
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Résumé
Dans ce papier sont présentés les travaux réalisés en vue de l'intégration monolithique d'un nouvel interrupteur de puissance destiné aux convertisseurs à commutation automatique. Cette fonctionnalité, basée sur le concept d'intégration fonctionnelle, propose de réunir au sein d'un même bloc de silicium des fonctions de protection, d'auto-commande et d'interrupteur de puissance. Son originalité concerne son comportement dynamique car cet interrupteur utilise un nouveau mécanisme de commutation : l'auto-commutation, qui utilise la protection au coeur même du mécanisme de commutation. Après une présentation du cahier des charges et de l'architecture retenue pour réaliser cette nouvelle fonction de puissance originale, nous nous intéressons aux travaux de simulations physiques 2D nécessaires pour concevoir un dispositif basé sur le concept d'intégration fonctionnelle.
The BI-IGBT: a low losses power structure by IGBT parallel association
C.CARAMEL, R.DE MAGLIE, P.AUSTIN, J.L.SANCHEZ, J.LE GAL, E.IMBERNON, J.P.LAUR, D.FLORES, S.HIDALGO, J.MILLAN, J.REBOLLO
ISGE, TEAM, Université de Barcel
Revue Scientifique : Semiconductor Science and Technology, Vol.23, N°5, 055022p., Mai 2008 , N° 07515
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127031Analyse des interactions et techniques d'isolation applicables à une structure de protection intégrée contre les courts-circuits
C.CARAMEL, P.AUSTIN, J.L.SANCHEZ, E.IMBERNON, B.ROUSSET
ISGE, TEAM
Revue Scientifique : Revue Internationale de Génie Électrique (RIGE), Vol.10, N°5, pp.541-551, Octobre 2007 , N° 07224
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Résumé
Une des voies actuelles d'amélioration des composants de puissance est l'intégration de structures de protection (Robb et al., 1994 ; Seki et al., 1994). Nous avons précédemment étudié une structure de protection des IGBT contre les courts-circuits. Cette structure a été étudiée en détail et optimisée en vue de sa réalisation dans un process conventionnel d'IGBT (Caramel et al., 2006). L'intégration de structures de protections sur le même substrat que le composant de puissance à protéger soulève le problème d'isolation entre les parties haute et basse tension. Nous verrons que dans notre application, l'isolation des composants basse tension entre eux est aussi nécessaire. Pour palier à ce problème, nous proposons trois techniques d'isolation compatibles avec un process d'IGBT classique. Nous avons réalisé des simulations 2D pour mettre en exergue la nécessité d'isolation et pour comparer l'efficacité des différentes techniques d'isolation.
Mots-Clés / Keywords
IGBT; Protection intégrée; Intégration fonctionnelle; Courts-circuits; Isolation; capteur de tension d'anode;