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BPN a new thick negative photoresist with high aspect ratio for MEMS applications
D.BOURRIER, M.DILHAN, A.GHANNAM, L.OURAK, H.GRANIER
TEAM, MOST
Manifestation avec acte : Conference on High Aspect Ratio Micro Structure Technology (HARMST 2012), Hsinchu (Japon), 13-17 Juin 2011, 7p. , N° 11857
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127643Conception et intégration " Above-IC " d'inductances à fort coefficient de surtension pour applications de puissance RF
A.GHANNAM, D.BOURRIER, C.VIALLON, J.M.BOULAY, G.BOUISSE, T.PARRA
MOST, TEAM, FREESCALE
Manifestation avec acte : Journées Nationales Microondes (JNM 2011), Brest (France), 18-20 Mai 2011, 4p. , N° 11223
Lien : http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00591689/fr/
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Résumé
Ce papier décrit l'optimisation du coefficient de surtension Q d'inductances intégrées au-dessus de substrats à très faibles résistivités (ρ < 0,1 Ω.cm). L'impact de ces résistivités sur les performances ainsi que l'inefficacité des plans de masses structurés sont présentés. Après optimisation du plan de masse, de l'épaisseur du diélectrique ainsi que des sections des métallisations, un coefficient de surtension de 58 à 5 GHz pour une valeur d'inductance totale de 0.8 nH est atteint. Un procédé technologique faible coût a été développé permettant l'intégration de ces inductances au-dessus de transistors LDMOS de puissance en utilisant la résine SU8 comme diélectrique.
Development of a new technological MEMS process for AC voltage standards
F.BLARD, A.BOUNOUH, D.BELIERES, S.CHARLOT, D.BOURRIER, H.CAMON
LNE, TEAM, N2IS
Manifestation avec acte : SPIE Microtechnologies, Prague (République Tchèque), 18-20 Avril 2011, Vol.80-66, 9p. , N° 11198
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124832Low Cost SU8 Based Above IC Process for High-Q RF Power Inductors Integration
A.GHANNAM, D.BOURRIER, C.VIALLON, T.PARRA
MOST, TEAM
Manifestation avec acte : Mediterranean Conference on Innovative Materials and Applications - CIMA 2011, Beyrouth (Liban), 15-17 Mars 2011, 4p. , N° 11224
Lien : http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00591690/fr/
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Abstract
This paper presents a new process for integration of high-Q RF power inductors above low resistivity silicon substrates. The process uses the SU8 resin as a dielectric layer. The aim of using the SU8 is to form thick dielectric layer that can enhance the performance of the inductors. The flexibility of the process enables the possibility to realize complex shaped planar inductors with various dielectric and metal thicknesses to meet the requirements of the application. Q values of 55 at 5GHz has been demonstrated for an inductance value of 0.8nH using a 60 µm thick SU8 layer and 30 µm thick copper ribbons.
Comparisons of the new thick negative resist to Su8 resist
D.BOURRIER, M.DILHAN, A.GHANNAM, H.GRANIER
MOST, TEAM
Manifestation avec acte : SPIE Advanced Lithography 2011, San Jose (USA), 27 Février - 3 Mars 2011, 8p. , N° 11279
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124717A simple fabrication process for an efficient constriction-based dielectrophoretic continuous flow sorter
S.SALOMON, T.LEICHLE, R.FULCRAND, D.BOURRIER, A.BOUKABACHE, A.M.GUE, L.NICU
NBS, N2IS, TEAM
Manifestation avec acte : IEEE NEMS 2011, Kaohsiung (Taiwan), 20-23 Février 2011, 4p. , N° 11105
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124224High-Q SU8 based above-IC inductors for RF power devices
A.GHANNAM, D.BOURRIER, C.VIALLON, J.M.BOULAY, G.BOUISSE, T.PARRA
MOST, TEAM, FREESCALE
Manifestation avec acte : Topical Mzeeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SIRF 2011), Phoenix (USA), 16-19 Janvier 2011, pp.25-28 , N° 11005
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123795A simple fabrication process for an efficient constriction-based dielectrophoretic continuous flow sorter
S.SALOMON, T.LEICHLE, R.FULCRAND, D.BOURRIER, A.BOUKABACHE, A.M.GUE, L.NICU
NBS, N2IS, TEAM
Manifestation avec acte : Conference on Advances in Microfluidics and Nanofluidics and Asian-Pacific International Symposium on Lab on Chip (AMN-APLOC 2011), Singapour (Singapour), 5-7 Janvier 2011, 2p. , N° 11105
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124134Liquid-gas microfluidic devices for optical applications
A.ALLOUCH, P.JOSEPH, D.BOURRIER, A.MONMAYRANT, O.GAUTHIER-LAFAYE, P.ARGUEL, A.M.GUE
N2IS, TEAM, PH
Manifestation avec acte : European Conference on Microfluidics (MicroFlu 2010), Toulouse (France), 8-10 Décembre 2010, 8p. , N° 10314
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123334Closed-end nanochannels: model platform for nanofluidic flows
P.JOSEPH, V.N.PHAN, D.BOURRIER, P.ABGRALL, A.M.GUE, N-T. NGUYEN
N2IS, NTU, Nanyang, TEAM, BDI, Dublin
Manifestation avec acte : European Conference on Microfluidics (MicroFlu 2010), Toulouse (France), 8-10 Décembre 2010, 5p. , N° 10790
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