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Reduction of defect density by rapid thermal annealing in Gaasbi studied by time-resolved photoluminescence
S.MAZZUCATO, P.BOONPENG, H.CARRERE, D.LAGARDE, A.ARNOULT, G.LACOSTE, T.ZHANG, A.BALOCCHI, T.AMAND, X.MARIE, C.FONTAINE
LPCNO, TEAM, PHOTO
Revue Scientifique : Semiconductor Science and Technology, Vol.28, N°2, 022001p., Février 2013 , N° 13010
Diffusable
129109Three dimensional confinement inIII-V photonic devices with combined oxidation and epitaxial regrowth
F.CHOUCHANE, G.ALMUNEAU, O.GAUTHIER-LAFAYE, A.ARNOULT, P.BOONPENG, G.LACOSTE, C.FONTAINE
PH, TEAM, Chulalongkorn Univ
Manifestation avec acte : E-MRS Spring Meeting 2012, Strasbourg (France), 14-18 Mai 2012, 1p. (Résumé) , N° 12321
Diffusable
127561Towards free-engineered areas of buried dielectric AlOx in III-V structures
F.CHOUCHANE, G.ALMUNEAU, O.GAUTHIER-LAFAYE, A.ARNOULT, G.LACOSTE, C.FONTAINE
PH, TEAM
Manifestation avec acte : Site Controlled Epitaxy Workshop, Heraklion (Grèce), 30 Avril 2012, 1p. (Résumé) , N° 12319
Diffusable
127557A new approach of planar oxidation of buried AlxGa1–xAs/GaAs epitaxial structures for optical and electrical confinement applications
F.CHOUCHANE, J.B.DOUCET, A.ARNOULT, G.LACOSTE, C.FONTAINE, G.ALMUNEAU
PH, TEAM
Revue Scientifique : Physica Status Solidi (c), Vol.9, N°2, pp.338-341, Février 2012 , N° 12042
Diffusable
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Abstract
Observation of overstrain in the coalescence zone of AlAs/AlOx oxidation fronts
F.CHOUCHANE, G.ALMUNEAU, O.GAUTHIER-LAFAYE, A.MONMAYRANT, A.ARNOULT, G.LACOSTE, C.FONTAINE
TEAM, PH
Revue Scientifique : Applied Physics Letters, Vol.98, N°26, 261921p., Juin 2011 , N° 11163
Diffusable
1249612D PhC optimization for highly robust 2nd order DFB's
O.GAUTHIER-LAFAYE, A.MONMAYRANT, S.BONNEFONT, A.LARRUE, J.CAMPOS, A.ARNOULT, C.FONTAINE, F.LOZES-DUPUY
TEAM, PH
Conférence invitée : International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON 2011), Stockholm (Suède), 26-30 Juin 2011, 3p. , N° 11411
Diffusion restreinte
125088Advances in buried oxide confinement engineering in AlxGa1-xAs/GaAs epitaxial structures
F.CHOUCHANE, J.B.DOUCET, A.ARNOULT, G.LACOSTE, C.FONTAINE, G.ALMUNEAU
PH, TEAM
Manifestation avec acte : International Symposium on Compound Semiconductors, Compound Semiconductor Week (CSW 2011), Berlin (Allemagne), 22-26 Mai 2011, 2p. , N° 11179
Diffusable
125004Centrale de micro et nanotechnologies. Bilan 2010 et prospective 2011
H.GRANIER, V.CONEDERA, M.DILHAN, P.F.CALMON, L.SALVAGNAC, A.ARNOULT
TEAM
Rapport LAAS N°11138, Mars 2011, 100p.
Diffusion restreinte
124246Quantum lifetimes and momentum relaxation of electrons and holes in Ga0.7In0.3N0.015As0.985/GaAs quantum wells
E.TIRAS, N.BALKAN, S.ARDALI, M.GUNES, C.FONTAINE, A.ARNOULT
Anadolu University, Essex, PH, TEAM
Revue Scientifique : Philisophical Magazine, Vol.91, N°4, pp.628-639, Février 2011 , N° 10694
Diffusable
123074Contrôle fin du procédé d'oxydation de couches AlxGa1-xAs enterrés
F.CHOUCHANE, G.ALMUNEAU, O.GAUTHIER-LAFAYE, A.MONMAYRANT, A.ARNOULT, G.LACOSTE, C.FONTAINE
TEAM, PH
Manifestation sans acte : Journées Nano Micro et Optoélectronique (JNMO 2010), Les Issambres (France), 28 Septembre - 1 Octobre 2010, 1p. (Résumé) , N° 10653
Diffusable
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