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Comparative study of electrical and microstructural investigations of 4H-SiC MOSFETs
C.STRENGER, V.HAUBLEIN, T.ERLBACHER, A.JBAUER, H.RYSSEL, A.BELTRAN, S.SCHAMM-CHARDON, V.MORTET, E.BEDEL-PEREIRA, M.LEFEBVRE, F.CRISTIANO
Fraunhofer Erlangen, M2D, CEMES/CNRS
Ouvrage (contribution) : Materials Science Forum. Silicon Carbide and Related Materials 2011, Vol.717-720, N°ISBN 978-3-03785-419-8, Mai 2012, pp.437-440 , N° 11561
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127720Investigation of silicide/silicon interfaces in nanowire based-nanocontacts
G.LARRIEU, X.L.HAN, G.PATRIARCHE, F.CRISTIANO, Y.GUERFI, M.COLLET
MPN, IEMN Villeneuve, LPN
Manifestation avec acte : MRS Spring Meeting 2012, San Francisco (USA), 9-13 Avril 2012, 1p. (Résumé) , N° 12180
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126993Nano-analytical and electrical characterization of 4H-SiC MOSFETs
A.BELTRAN, S.SCHAMM, V.MORTET, M.LEFEBVRE, E.BEDEL-PEREIRA, F.CRISTIANO, C.STRENGER, V.HAUBLEIN, A.JBAUER
M2D, CEMES/CNRS, Fraunhofer Erlangen
Revue Scientifique : Materials Science Forum, Vol.711, pp.134-138, Janvier 2012 , N° 11565
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126407Capillary-assisted dielectrophoresis as an innovative protocol to align nanowires at single-level
M.COLLET, S.SALOMON, F.SEICHEPINE, Y.COFFINIER, P.CAROFF, C.VIEU, L.NICU, F.CRISTIANO, G.LARRIEU
M2D, NBS, IEMN
Manifestation sans acte : MRS Fall Meeting, Boston (USA), 27 Novembre - 02 Décembre 2011, 1p. , N° 11720
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126245Mobility degradation in 4H-SiC MOSFETs: comparison of electrical and structural investigations
V.MORTET, A.BELTRAN, E.BEDEL-PEREIRA, F.CRISTIANO, S.SCHAMM, C.STRENGER, V.HAUBLEIN, A.JBAUER
M2D, CEMES/CNRS, Fraunhofer Erlangen
Manifestation avec acte : ECS Meeting and Electrochemical Energy Summit, Boston (USA), 9-14 Octobre 2011, 1p. , N° 11564
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125595Comparative study of electrical and microstructural investigations of 4H-SiC MOSFETs
C.STRENGER, V.HAUBLEIN, T.ERLBACHER, A.JBAUER, H.RYSSEL, A.BELTRAN, S.SCHAMM-CHARDON, V.MORTET, E.BEDEL-PEREIRA, M.LEFEBVRE, F.CRISTIANO
Fraunhofer Erlangen, M2D, CEMES/CNRS
Manifestation sans acte : International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), Cleveland (USA), 11-16 Septembre 2011, 4p. , N° 11561
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125590Nano-analytical and electrical characterization of 4H-SiC MOSFETs
A.BELTRAN, S.SCHAMM, V.MORTET, M.LEFEBVRE, E.BEDEL-PEREIRA, F.CRISTIANO, C.STRENGER, V.HAUBLEIN, A.JBAUER
M2D, CEMES/CNRS, Fraunhofer Erlangen
Manifestation avec acte : HeteroSiC-WASMPE 2011, Tours (France), 27-30 Juin 2011, 5p. , N° 11565
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125597Deep level transient spectroscopy study of ion implantation-induced extended defects in silicon
J.BOUCHER, F.OLIVIE, K.KOUKOS, E.BEDEL-PEREIRA, D.BOLZE, Y.YAMAMOTO, F.CRISTIANO
M2D, PHOTO, IHP
Manifestation avec acte : International Conference on Defects in Semiconductors ( ICDS ) 2011 du 17 juin au 22 juin 2011, Nelson (Nouvelle Zélande), 2011, 1p. , N° 11866
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128720Electrical characterization of extended defects in ion implanted ultra-shallow junctions: impact on induced leakage current
J.BOUCHER, K.KOUKOS, E.BEDEL-PEREIRA, F.OLIVIE, D.BOLZE, Y.YAMAMOTO, F.CRISTIANO
M2D, PHOTO, IHP
Manifestation avec acte : E-MRS Spring Meeting 2011 du 09 mai au 13 mai 2011, Nice (France), Mai 2011, 1p. , N° 11867
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128890End-of-range defects in germanium and their role in boron deactivation
F.PANCIERA, P.F.FAZZINI, M.COLLET, J.BOUCHER, E.BEDEL-PEREIRA, F.CRISTIANO
IM2NP, M2D
Revue Scientifique : Applied Physics Letters, Vol.97, N°1, pp.012105-1-012105-3, 7 Juillet 2010 , N° 10502
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