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Compositional characterization of SiC-SiO2 interfaces in MOSFETs
A.BELTRAN, S.SCHAMM-CHARDON, V.MORTET, E.BEDEL-PEREIRA, F.CRISTIANO, C.STRENGER, A.JBAUER
CEMES/CNRS, MPN, Fraunhofer Erlangen
Manifestation avec acte : European Microscopy Conference (EMC 2012), Manchester (UK), 16-21 Septembre 2012, pp.367-368 , N° 12472
Lien : http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00720226
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Abstract
In the context of the MobiSiC project (Mobility engineering for SiC devices) we study 4H-SiC MOSFETs with the aim to get more insight in the C distribution and nature across the SiC-SiO2 interface and to correlate the results with electron mobility measurements. Investigations are based on the combination of structural and compositional analyses carried out by high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and spatially resolved EELS.
Hall effect characterization of 4H-SiC MOSFETs: influence of nitrogen gate implantation
V.MORTET, P.BRETON, E.BEDEL-PEREIRA, J.F.BOBO, C.STRENGER, A.JBAUER, F.CRISTIANO
MPN, CEMES/CNRS, Fraunhofer Erlangen
Manifestation avec acte : European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM 2012), Saint Petersbourg (Russie), 2-6 Septembre 2012, 2p. , N° 12415
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128074Electrical characterization of {311} defects and related junction leakage currents in n-type Si after ion implantation
C.NYAMHERE, F.CRISTIANO, F.OLIVIE, E.BEDEL-PEREIRA, J.BOUCHER, Z.ESSA, D.BOLZE, Y.YAMAMOTO
MPN, IHP
Manifestation avec acte : International Conference on Ion Implantation Technology (IIT'2012), Valladolid (Espagne), 25-29 Juin 2012, 4p. , N° 12448
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127896BF3 PIII modeling: implantation, amorphisation and diffusion
Z.ESSA, F.CRISTIANO, Y.SPIEGEL, P.BOULENC, Y.QIU, M.QUILLEC, N.TALEB, A.BURENKOV, M.HACKENBERG, E.BEDEL-PEREIRA, V.MORTET, F.TORREGROSA, C.TAVERNIER
MPN, Ion Beam Services, ST Microelectronics, Probion Analysis, Fraunhofer Erlangen
Manifestation avec acte : International Conference on Ion Implantation Technology (IIT'2012), Valladolid (Espagne), 25-29 Juin 2012, 4p. , N° 12449
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127899Residual structural defects in highly activated implanted USJs by advanced processes: millisecond annealing and plasma implants
F.CRISTIANO, Z.ESSA, Y.QIU, Y.SPIEGEL, F.TORREGROSA, P.BOULENC, C.TAVERNIER, O.COJOCARU, D.BLAVETTE, D.MANGELINCK, P.F.FAZZINI
MPN, Ion Beam Services, ST Microelectronics, Max, Univ. de Rouen, IM2NP, LPCNO
Conférence invitée : International Conference on Ion Implantation Technology (IIT'2012), Valladolid (Espagne), 25-29 Juin 2012, 1p. , N° 12451
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127903Modélisation TCAD des profils et fuites de jonctions ultra-minces dans les technologies avancées
Z.ESSA, F.CRISTIANO, P.BOULENC, C.TAVERNIER, F.OLIVIE
ST Microelectronics, MPN, M2D
Manifestation sans acte : Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique (JNRDM 2012), Marseille (France), 18-20 Juin 2012, 5p. , N° 12447
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127894Hall effect measurements of 4H-SiC MOSFET influence on nitrogen implantation
V.MORTET, P.BRETON, E.BEDEL-PEREIRA, F.CRISTIANO, A.BELTRAN, S.SCHAMM-CHARDON, C.STRENGER, V.HAUBLEIN, A.JBAUER
MPN, CEMES/CNRS, Fraunhofer Erlangen
Manifestation sans acte : Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits and Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies (WOCSDICE-EXMATEC 2012), Porquerolles (France), 30 Mai 1 Juin 2012, 2p. , N° 12307
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127503Implantation-induced structural defects in highly activated USJs: Boron precipitation and trapping in pre-amorphised silicon
F.CRISTIANO, Z.ESSA, Y.QIU, Y.SPIEGEL, F.TORREGROSA, J.DUCHAINE, P.BOULENC, C.TAVERNIER, O.COJOCARU, D.BLAVETTE, D.MANGELINCK, P.F.FAZZINI, M.QUILLEC, E.M.BAZIZI, M.HACKENBERG, S.BONINELLI
MPN, Ion Beam Services, ST Microelectronics, Max, Univ. de Rouen, IM2NP, LPCNO, Probion Analysis, Globalfoundries, Fraunhofer Erlangen, MATIS Catania
Conférence invitée : International Workshop on Junction Technology (IWJT 2012), Shanghai (Chine), 14-15 Mai 2012, 7p. , N° 12452
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127905Evaluation and modelling of lanthanum diffusion in TiN/La2O3/HfSiON/SiO2/Si high-k stacks
Z.ESSA, C.GAUMER, A.PAKFAR, M.GROS-JEAN, M.JUHEL, F.PANCIERA, P.BOULENC, C.TAVERNIER, F.CRISTIANO
MPN, ST Microelectronics
Manifestation avec acte : E-MRS Spring Meeting 2012, Strasbourg (France), 14-18 Mai 2012, 1p. , N° 12450
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127901Carrier injection at silicide/silicon interfaces in nanowire based-nanocontacts
X.L.HAN, G.LARRIEU, E.DUBOIS, F.CRISTIANO
IEMN Villeneuve, MPN, IEMN
Revue Scientifique : Surface Science, Vol.606, N°9-10, pp.836-839, Mai 2012 , N° 12020
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