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Impact of the solder joint ageing on IGBT I-V characteristics using 2D physical simulation

E.MARCAULT, M.BREIL, A.BOURENNANE, P.TOUNSI, P.DUPUY

ISGE, FREESCALE

Manifestation avec acte : Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE 2011), Linz (Autriche), 17-20 Avril 2011, 2p. , N° 11051

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A brief over view of silicon active and passive power devices technologies: potentialities of evolving towards 3D heterogeneous functional integration

J.L.SANCHEZ, A.BOURENNANE, M.BREIL, P.AUSTIN, M.BRUNET, J.P.LAUR, F.MORANCHO

ISGE

Conférence invitée : International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'10), Prague (République Tchèque), 1-3 Septembre 2010, pp.27-36 , N° 10475

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VDMOS Ron as a mechanical state indicator for device failure anticipation

E.MARCAULT, M.BREIL, A.BOURENNANE, P.TOUNSI, J.M.DORKEL

ISGE

Manifestation avec acte : International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'10), Prague (République Tchèque), 1-3 Septembre 2010, pp.67-72 , N° 10251

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A vertical monolithically integrated bidirectional IGBT having all the electrodes on the front side

H.TAHIR, A.BOURENNANE, J.L.SANCHEZ, M.BREIL, J.C.CREBIER

ISGE, G2Elab

Manifestation avec acte : International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'10), Prague (République Tchèque), 1-3 Septembre 2010, pp.249-253 , N° 10255

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Realization and characterization of a current and voltage bidirectional IGBT

H.TAHIR, A.BOURENNANE, J.L.SANCHEZ

ISGE

Manifestation avec acte : International Seminar on Power Semiconductors (ISPS'10), Prague (République Tchèque), 1-3 Septembre 2010, pp.73-78 , N° 10254

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A monolithically integrated bidirectional IGBT: effect of spatial IGBT elementary cells repartitioning and technology of realization on device performance

H.TAHIR, A.BOURENNANE, J.L.SANCHEZ, G.SARRABAYROUSE, E.IMBERNON

ISGE, M2D, TEAM

Manifestation avec acte : International Power Electronics and Motion Control Conference (EPE-PEMC 2010), Orhid (Macédoine), 6-8 Septembre 2010, pp.29-33 , N° 10803

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Tension de seuil réduite pour composants de puissance à grille: intérêts et conséquences

T.SIMONOT, N.ROUGER, H.X.NGUYEN, J.C.CREBIER, A.BOURENNANE, J.L.SANCHEZ, L.GERBAUD

LEG, G2Elab, ISGE

Manifestation avec acte : Electronique de Puissance du Futur (EPF 2010), Saint Nazaire (France), 30 jUIN - 2 Juillet 2010, 4p. , N° 10406

Lien : http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00498857/fr/

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Influence des contraintes mécaniques et thermomécaniques sur les caractéristiques électriques d'un transistor VDMOS

E.MARCAULT, A.BOURENNANE, M.BREIL, P.TOUNSI, J.M.DORKEL

ISGE

Manifestation avec acte : Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique (JNRDM 2010), Montpellier (France), 7-9 Juin 2010, 5p. , N° 10533

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Remote monitoring platforms for prevention and detection of elderly deviant behaviour

E.CAMPO, M.CHAN, A.BOURENNANE, D.ESTEVE

N2IS, ISGE

Manifestation avec acte : E-MediSys 2010, Fes (Maroc), 12-14 Mai 2010, 6p. , N° 10125

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3D Heterogeneous Functional Integration an Alternative Way to Develop New Power Integrated Functions

J.L.SANCHEZ, A.BOURENNANE, M.BREIL, P.AUSTIN, M.BRUNET, J.P.LAUR

ISGE

Manifestation avec acte : XV International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices (IWPSD 2009), New Delhi (Inde), 15-19 Décembre 2009, pp.159-171 , N° 09797

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