Retour au site du LAAS-CNRS

Using zero thermal coefficient point property for VDMOS power devices health monitoring

E.MARCAULT, A.BOURENNANE, M.BREIL, P.TOUNSI, P.DUPUY

ISGE, FREESCALE

Manifestation avec acte : International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2012), Bruges (Belgique), 3-7 Juin 2012, 4p. , N° 11624

Diffusable

Ajouter au panier 127644

3D deformation FEM simulations and measurement during VDMOS transistor operation

E.MARCAULT, D.WEIDMANN, A.BOURENNANE, M.BREIL, L.CHARPIOT

ISGE, INSIDIX

Manifestation avec acte : Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE 2012), Lisbonne (Portugal), 15-18 Avril 2012, 4p. , N° 11623

Diffusable

Ajouter au panier 127131

VDMOS Ron as a mechanical state indicator for device failure anticipation

E.MARCAULT, M.BREIL, A.BOURENNANE, P.TOUNSI, J.M.DORKEL

ISGE

Revue Scientifique : Microelectronics Reliability, Vol.52, N°3, pp.489-496, Mars 2012 , N° 11139

Diffusable

Ajouter au panier 127144

Impact of source metallization ageing on thermo-mechanical characteristics of a vertical power device

E.MARCAULT, M.BREIL, A.BOURENNANE, P.TOUNSI, D.MARTINEAU, P.DUPUY

ISGE, CEMES/CNRS, FREESCALE

Manifestation avec acte : Power Electronics and Applications (EPE 2011), Birmingham (UK), 30 Août - 1 Septembre 2011, pp.1-7 , N° 11117

Diffusable

Ajouter au panier 125397

A monolithically integrated vertical bidirectional IGBT having all the main electrodes on the front side

H.TAHIR, A.BOURENNANE, J.L.SANCHEZ, G.SARRABAYROUSE, L.PONT

ISGE, M2D

Manifestation avec acte : Power Electronics and Applications (EPE 2011), Birmingham (UK), 30 Août - 1 Septembre 2011, pp.1-9 , N° 11057

Diffusable

Ajouter au panier 125420

Exploring ageing effects on integrated power devices (I-V) for health monitoring

E.MARCAULT, M.BREIL, A.BOURENNANE, P.TOUNSI, P.DUPUY

ISGE, FREESCALE

Manifestation avec acte : Conference on Ph. D. Research in Microelectronics and Electronics (PRIME 2011), Trento (Italie), 4-8 Juillet 2011, 4p. , N° 11108

Diffusable

Ajouter au panier 125423

Towards reduced threshold voltages for vertical power Mosfet transistors

T.SIMONOT, H.X.NGUYEN, N.ROUGER, J.C.CREBIER, A.BOURENNANE, L.GERBAUD, J.L.SANCHEZ

LEG, ISGE

Manifestation avec acte : International Symposium on Industrial Electronics (ISIE’2011), Gdansk (Pologne), 27-30 Juin 2011, 6p. , N° 11255

Diffusable

Ajouter au panier 125378

High temperature wafer bonding technique for the realization of a voltage and current bidirectional IGBT

A.BOURENNANE, H.TAHIR, J.L.SANCHEZ, E.IMBERNON, G.SARRABAYROUSE

ISGE, TEAM, M2D

Manifestation avec acte : International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD 2011), San Diego (USA), 23-26 Mai 2011, pp.140-143 , N° 11054

Diffusable

Ajouter au panier 124855

Power devices health monitoring elements free from temperature effects

E.MARCAULT, M.BREIL, P.TOUNSI, A.BOURENNANE, P.DUPUY

ISGE, FREESCALE

Rapport LAAS N°11257, Mai 2011, 4p.

Diffusable

Ajouter au panier 124655

Impact of VDMOS source metallization ageing in 3D FEM wire lift off modeling

E.MARCAULT, T.AZOUI, M.BREIL, A.BOURENNANE, P.TOUNSI, P.DUPUY

ISGE, FREESCALE

Manifestation avec acte : Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE 2011), Linz (Autriche), 17-20 Avril 2011, 2p. , N° 11033

Diffusable

Ajouter au panier 124993