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Evaluation of the ionising-radiation/hot-carrier induced effects on the RF characteristics of low-complexity SiGe heterojunction bipolar transistors through numerical simulation
J.KUCHENBECKER, M.BORGARINO, A.COUSTOU, R.PLANA, J.GRAFFEUIL, F.FANTINI
CCM, Modena
Revue Scientifique : Microelectronics Reliability (Special Issue), Vol.40, N°8-10, pp.1579-1584, Août-Octobre 2000 , N° 00149
Diffusable
41156Etude de faisabilité de circuits avancés pour les télécommunications en technologie silicium germanium (SiGe)
D.DUBUC, M.SIE, L.BARY, A.COUSTOU, J.G.TARTARIN, T.PARRA, O.LLOPIS, E.TOURNIER, R.PLANA
CCM
Rapport de Contrat : Contrat CNES N°7943/00, Juillet 2000, 47p. , N° 00288
Non diffusable
39908Studio mediante simulazioni numeriche degli effetti da radiazioni ionizzanti/portatori caldi sulle caratteristicher micro-onde di dispositivi bipolari ad eterogiunzione Si/SiGe
M.BORGARINO, J.KUCHENBECKER, A.COUSTOU, R.PLANA, J.GRAFFEUIL, F.FANTINI
CCM, Modena
Manifestation sans acte : Gruppo Elettronica Riunione Annuale 2000, Parme (Italie), 8-10 Juin 2000 (Résumé) , N° 00378
Diffusable
40729Caractérisation des TBHs SiGe pour des applications faible bruit des systèmes de communication et systèmes radar
J.G.TARTARIN, A.COUSTOU, R.PLANA, A.MONROY, V.LE GOASCOZ, J.GRAFFEUIL
CCM, ST Microelectronics
Manifestations avec acte à diffusion limitée : 3ème Journée Microondes et Electromagnétisme de Toulouse (JMET 2000), Toulouse (France), 13 Janvier 2000, 4p. , N° 00014
Diffusable
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