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Wide band transimpedance amplifier at 3 GHz in 130 nm technology
A.KARA OMAR, C.VIALLON, D.DRAGOMIRESCU, A.COUSTOU, R.PLANA
MINC, MOST, 2I
Manifestation avec acte : International Semiconductor Conference (CAS 2008), Sinaia (Roumanie), 13-15 Octobre 2008, pp.407-410 , N° 08398
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Mots-Clés / Keywords
BiCMOS; Transimpedance; Amplifier; Mixer;
DC contact RF MEMS switches with low actuation voltage
F.PENNEC, P.PONS, A.COUSTOU, P.F.CALMON, R.PLANA, F.COURTADE
MINC, 2I, TEAM, CNES
Manifestation avec acte : 18th Workshop on MicroMechanics Europe (MME 2007), Guimaraes (Portugal), 16-18 Septembre 2007, pp.91-94 , N° 07603
Lien : http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00180254/fr/
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Abstract
Capacitive RF MEMS switches demonstrate that it is difficult to obtain a perfect capacitive contact for a low actuation voltage. Architectures of MEMS switches with resistive contact are then developed. The objective is to minimize the contact resistance to obtain the best RF performances while keeping a low actuation voltage. First set of results have shown that good RF performances, with contact resistance lower than 1.3O, can be obtained with a 30V actuation voltage and with a 6µm gap height. With cantilever height around 1.5µm it will be then possible to obtain enough contact force with 6V applied voltage.
Mots-Clés / Keywords
DC contact MEMS switch; Actuation voltage; Optimization; Contact force; Contact resistance; CoventorWare;
Dispositif monolithique de type circulateur
A.COUSTOU, R.PLANA
2I, MINC
Brevet : Brevet n° WO 2007/090982 A2, Août 2007, 27p. , N° 06634
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Abstract
The invention concerns a monolithic circulator, designed to be connected to an antenna (2) for transmitting and receiving high frequency signals, comprising: a dual-input differential amplifier (31) capable of supplying a signal on an output (S) of the circulator, and two 3dB couplers (A, B) each including first, second and third access terminals, the second terminals being connected to one input E of the circulator, each third terminal being connected to one input of the amplifier, the first terminals being respectively designed to be connected to the antenna and a load element (30) having an impedance close to that of the antenna.
Développement de micro-commutateurs MEMS RF à contact ohmique à faible tension d'actionnement
F.PENNEC, P.PONS, A.COUSTOU
MINC, 2I
Manifestations avec acte à diffusion limitée : 10ème Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique (JNRDM 2007), Lille (France), 14-16 Mai 2007, 4p. , N° 07674
Lien : http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00180252/fr/
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Résumé
Malgré d'excellentes caractéristiques hyperfréquences (faibles pertes, faibles consommation, compacité et excellente linéarité), les microcommutateurs MEMS RF à actionnement électrostatique présentent des performances limitées telle qu'une vitesse de commutation trop faible, une encapsulation coûteuse, et une tension d'actionnement trop élevée. Dans ce contexte, plusieurs configurations de commutateurs (capacitif ou ohmique, série ou parallèle) sont proposées pour atteindre l'objectif de faible tension d'actionnement. Les dernières études réalisées sur des microcommutateurs capacitifs montrent qu'il est difficile d'obtenir un contact capacitif parfait pour une tension d'actionnement faible. Pour supprimer ce problème lié au contact capacitif, une nouvelle filière technologique de microcommutateurs série et parallèle à contact ohmique est développé. L'objectif est de minimiser la résistance de contact pour obtenir les meilleures performances micro-ondes tout en gardant une tension d'actionnement faible.
Mots-Clés / Keywords
Microcommutateur; Tension d'actionnement; Optimisation; Force de contact; Résistance de contact; CoventorWare;
In IC an above IC MEMS for millimeterwave communications
M.N.DO, K.GRENIER, D.DUBUC, A.COUSTOU, R.PLANA
MINC, 2I
Conférence invitée : ELECTRONICS 2006, Sozopol (Bulgarie), 20-22 Septembre 2006, 7p. , N° 06726
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108385K-band BiCMOS SiGe based micromixer with enhanced linearity performances
M.N.DO, D.DUBUC, A.COUSTOU, E.TOURNIER, R.PLANA
CISHT, 2I
Manifestation avec acte : 2005 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC'2005), Suzhou (Chine), 4-7 Décembre 2005, Vol.3, pp.1624-1627 , N° 05597
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105311Highly linear 20 GHz-micromixer in SiGe bipolar technology
M.N.DO, D.DUBUC, A.COUSTOU, E.TOURNIER, P.ANCEY, R.PLANA
CISHT, ST Microelectronics, 2I
Manifestation avec acte : 13th Gallium Arsenide and other Compound Semiconductors Application Symposium (GaAs'2005), Paris (France), 3-4 Octobre 2005, pp.61-64 , N° 05406
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105188Low phase noise IP VCO for multi-standard communication using a 0.35 um BiCMOS SiGe technology
A.COUSTOU, D.DUBUC, J.GRAFFEUIL, O.LLOPIS, E.TOURNIER, R.PLANA
2I, CISHT
Revue Scientifique : IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Vol.15, N°2, pp.71-73, Février 2005 , N° 05082
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1034473D microsystem integration for microwave and millimeterwave applications
D.DUBUC, K.GRENIER, M.N.DO, J.P.BUSQUERE, A.COUSTOU, B.DUCAROUGE, S.MELLE, L.MAZENQ, F.BOUCHRIHA, P.PONS, R.PLANA
TEAM, CISHT, TMN, 2I
Revue Scientifique : Romanian Journal of Information Science and Technology, Vol.17, N°3-4, 2004 , N° 04736
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1036773D MEMS circuits integration for RF and millimeterwave communications
D.DUBUC, K.GRENIER, M.N.DO, J.P.BUSQUERE, A.COUSTOU, B.DUCAROUGE, S.MELLE, L.MAZENQ, F.BOUCHRIHA, P.PONS, R.PLANA
2I, TEAM, CISHT, TMN
Conférence invitée : Invited paper. 27th International Semiconductor Conference (CAS'2004), Sinaia (Roumanie), 4-6 Octobre 2004, 10p. , N° 04670
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