Publications de l'équipe TEAM

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10648
01/01/2012

A multilevel polymer process for direct encapsulation of fluids in microfluidic systems

R.BOSSUYT, L.MAZENQ, V.CONEDERA, J.BALLET, A.M.GUE, J.P. CANO, H.CAMON

TEAM, Essilor Int, Tlse, N2IS

Revue Scientifique : Microsystems Technologies, Vol.18, N°2, pp.175-182, Janvier 2012 , N° 10648

Diffusable

126327
11573
15/12/2011

On chip magnetic actuator for batch-mode dynamic manipulation of magnetic particles in compact lab-on-chip

R.FULCRAND, A.BANCAUD, C.ESCRIBA, Q.HE, S.CHARLOT, A.BOUKABACHE, A.M.GUE

TEAM, N2IS

Revue Scientifique : Sensors and Actuators B: Chemical, Vol.160, N°1, pp.1520-1528, Décembre 2011 , N° 11573

Diffusable

125625
11617
29/11/2011

Micro-capteur pour la mesure en ligne et en continu de l'encrassement dans les procédés industriels et de traitement de l'eau

J.CRATTELET, L.FILLAUDEAU, L.AURET, L.SALVAGNAC, A.BOUKABACHE, D.ESTEVE

N2IS, LISBP, NEOSENS, TEAM

Rapport LAAS N°11617, Novembre 2011, 24p.

Diffusion restreinte

125829
10442
29/11/2011

Capillary filling in nanochannels - Modeling, fabrication and experiments

V.N.PHAN, P.JOSEPH, L.DJEGHLAF, A.ALLOUCH, D.BOURRIER, P.ABGRALL, A.M.GUE, C. YANG, N-T. NGUYEN

NTU, Nanyang, N2IS, TEAM

Revue Scientifique : Heat Transfer Engineering, Vol.32, N°7-8, pp.624-635, Novembre 2011 , N° 10442

Diffusable

125822
11616
29/11/2011

Efficient prototyping of large-scale pdms and silicon nanofluidic devices using pdms-based phase-shift lithography

Y.VIERO, Q.HE, L.MAZENQ, H.RANCHON, J.Y.FOURNIOLS, A.BANCAUD

TEAM, N2IS

Rapport LAAS N°11616, DOI: 10.1007/s10404-011-0888-0, Novembre 2011, 13p.

Diffusable

125827
11381
01/11/2011

Collective micro-optics technologies for VCSEL photonic integration

V.BARDINAL, T.CAMPS, B.REIG, D.BARAT, E.DARAN, J.B.DOUCET

PH, N2IS, TEAM

Revue Scientifique : Advances in Optical Technologies, Vol.2011, N°paper ID 609643, 11p., Novembre 2011 , N° 11381

Diffusable

126643
11420
23/10/2011

Projet LUMELEC: mariage de l'optique et de l'électronique

P.ARGUEL, J.GRISOLIA, J.LAUNAY, H.TAP, C.DUPRAT, C.CAPELLO, F.GESSINN, F.GUERIN, C.ROUABHI

PH, TEAM, M2D, OSE, AIME

Manifestation avec acte : Colloque sur l'Enseignement des Technologies et des Sciences de l'Information et des Systèmes (CETSIS 2011), Trois Rivières (Canada), 23-26 Octobre 2011, 6p. , N° 11420

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126318
11478
16/09/2011

Filière technologique des MEMS RF au LAAS

C.VILLENEUVE, P.PONS, S.AOUBA, P.F.CALMON

MINC, TEAM

Rapport LAAS N°11478, Septembre 2011, 27p.

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125279
11453
13/09/2011

Flexible integration techniques for wireless sensors network deployment: application to aircraft structure health monitoring

D.DRAGOMIRESCU, M. M.JATLAOUI, S.CHARLOT, T.BELUCH, P.PONS, H.AUBERT, R.PLANA

TEAM, MINC

Manifestation avec acte : International Workshop on Structural Health Monitoring (IWSHM 2011), Stanford (USA), 13-15 Septembre 2011, pp.1519-1526 , N° 11453

Diffusable

125299
11522
12/09/2011

Efficient low cost process for single step metal forming of 3D interconnected above-IC inductors

A.GHANNAM, L.OURAK, D.BOURRIER, C.VIALLON, T.PARRA

MOST, TEAM

Manifestation avec acte : European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2011), Helsinki (Finlande), 12-16 Septembre 2011, 4p. , N° 11522

Lien : http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00627894/fr/

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Abstract

This paper presents a novel and efficient low cost process capable of integrating high-Q above-IC inductors and their interconnects using a single electroplating step. It relies on the SU8 and BPN resist as well as an optimized electroplating technique to form the 3D interconnected inductor. The SU8 is used to form a thick layer located underneath the inductor to elevate it from the substrate. Then, the BPN is used as a high resolution mold (16:1) for copper electroplating. Standard or time optimized electroplating is later used to grow copper in a 3D manner, making the transition between all metallic layers straight forward. High-Q (55 @ 5 GHz) power inductors have been designed and integrated above an RF power LDMOS device using this process. Finally, the process capabilities are demonstrated by integrating a solenoid inductor using only two lithography masks and a single electroplating step.

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