Laboratoire d’Analyse et d’Architecture des Systèmes
X.BUET, A.MONMAYRANT, E.DARAN, D.BELHARET, F.LOZES-DUPUY, O.GAUTHIER-LAFAYE
PH, TEAM
Conférence invitée : International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON 2012), Coventry (UK), 2-5 Juillet 2012, 3p. , N° 12392
Non diffusable
127772H.MAKHLOUFI, E.DARAN, C.FONTAINE
PH, TEAM
Manifestation sans acte : Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique (JNRDM 2012), Marseille (France), 18-20 Juin 2012, 3p. , N° 12267
Diffusable
127467S.PINON, D.L.DIEDHIOU, A.BOUKABACHE, V.CONEDERA, D.BOURRIER, A.M.GUE, G.PRIGENT, E.RIUS, C.QUENDO, B.POTELON, J.F.FEVENNEC
N2IS, LAB-STICC, Brest, TEAM, INP ENSEEIHT
Manifestation avec acte : International Microwave Symposium (IMS 2012), Montréal (Canada), 17-22 Juin 2012, 3p. , N° 12105
Diffusable
127512G.TATON, V.CONEDERA, C.ROSSI
N2IS, TEAM
Manifestation avec acte : International Pyrotechnics Seminar (IPS 2012), Denver (USA), 10-15 Juin 2012, 1p. , N° 12348
Diffusable
127639B.REIG, T.CAMPS, V.BARDINAL, D.BOURRIER, E.DARAN, J.B.DOUCET, J.LAUNAY, J.Y.FOURNIOLS
MICA, N2IS, TEAM
Revue Scientifique : Journal of Micromechanics and Microengineering, Vol.22, N°6, 065006p., Juin 2012 , N° 12133
Diffusable
127118A.GHANNAM, L.OURAK, D.BOURRIER, C.VIALLON, T.PARRA
MOST, TEAM
Manifestation avec acte : Electronic Components and Technology Conference (ECTC 2012), San Diego (USA), 29 Mai - 1 Juin 2012, 5p. , N° 12440
Lien : http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00720570
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Plus d'informations
This work presents a new and low cost multi-level 3D copper interconnect process for RF and microwave applications. This process extends 3D interconnect integration technologies from silicon to above-IC polymer. Therefore, 3D passive devices and multi-level interconnects can be integrated using a single electroplating step making the process suitable for 3D-MMIC integration. 3D interconnects are realized by patterning the SU-8 to specific locations to create the desired 3D shape. A 3D seed layer is deposited above the SU-8 and the substrate to insure 3D electroplating current flow. The BPN is used as a thick mold for copper electroplating with an aspect ratio as high as 16:1. An optimized electroplating process is later used to grow copper in a 3D technique, insuring transition between all metallic layers. Finally, high-Q (60 @ 6 GHz) power inductors have been designed and integrated above a 50 W RF power LDMOS device, using this process.
F.LARRAMENDY, F.MATHIEU, S.CHARLOT, L.NICU, P.TEMPLE BOYER
I2C, TEAM, NBS, MICA
Rapport LAAS N°12240, Mai 2012, 22p.
Diffusable
127224F.LARRAMENDY, A.BENDALI, MC.BLATCHE, S.PICAUD, L.MAZENQ, P.TEMPLE BOYER, L.NICU
NBS, Inst. de la Vision, 2I, TEAM, MICA
Manifestation avec acte : BIOSENSORS 2012, Cancun (Mexique), 15-18 Mai 2012, 1p. , N° 12274
Diffusable
127349L.DJEGHLAF, A.DIALLO, L.MAZENQ, C.SALLES, P.MIELLE, J.LAUNAY, P.TEMPLE BOYER
MICA, TEAM, CSGA
Manifestation avec acte : BIOSENSORS 2012, Cancun (Mexique), 15-18 Mai 2012, 1p. , N° 12003
Diffusable
127350A.DIALLO, L.DJEGHLAF, L.MAZENQ, T.T.NGUYEN BOISSE, F.LAGARDE, N.JAFFREZIC-RENAULT, J.LAUNAY, P.TEMPLE BOYER
MICA, TEAM, LSA, Lyon
Manifestation avec acte : BIOSENSORS 2012, Cancun (Mexique), 15-18 Mai 2012, 1p. , N° 12004
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127351