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Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes

Publications de l'équipe MOST

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347documents trouvés

18408
02/07/2018

Oscillateurs optiques hyper-paramétriques stabilisés par une boucle de contre-réaction Pound-Drever-Hall

N.GUTIERREZ PANOZZO, O.LLOPIS, A.FERNANDEZ , G.BAILLY

MOST, I2C

Manifestation avec acte : Journée du Club Optique Micro-onde ( JCOM ) 2018 du 02 juillet au 02 juillet 2018, Toulouse (France), Juillet 2018, 2p. , N° 18408

Lien : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01926238

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Résumé

Un oscillateur optique hyper-paramétrique permet la génération de peignes de fréquences optiques à partir d'un signal optique monochromatique. Nous présentons ici un montage d'oscillateur hyper-paramétrique optique basé sur l'excitation de peignes Kerr dans des résonateurs optiques en verre HYDEX à fort indice de réfraction et compatible avec les technologies CMOS et stabilisé par une boucle de contre-réaction Pound-Drever-Hall

145466
18271
02/07/2018

Mesure de la dispersion chromatique de fibres optiques de courtes longueurs par modulation de phase sinusoïdale d'une onde monochromatique : application au COEO

A.LY, G.BAILLY, A.FERNANDEZ , O.LLOPIS

MOST, I2C

Manifestation avec acte : Journée du Club Optique Micro-onde ( JCOM ) 2018 du 02 juillet au 02 juillet 2018, Toulouse (France), Juillet 2018, 2p. , N° 18271

Lien : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01863572

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Résumé

Les performances en bruit de phase de l'oscillateur optoélectronique couplé (COEO) dépendent fortement du profil temporel du train d'impulsion qu'il génère [1]. Son optimisation passe ainsi, entre autres, par une bonne compensation de la dispersion chromatique introduite par les boucles fibrées, longues de quelques centaines de mètres. Nous présentons ici une méthode simple d'y parvenir et nous montrons comment cela nous a permis de générer des ondes millimétriques (90 GHz) avec un très faible bruit de phase.

144581
18566
02/07/2018

NIMPH: EDMon (Erbium Doped fiber Monitoring)

A.FERNANDEZ , C.VIALLON, N.NOLHIER, O.LLOPIS, A.COUSTOU, D.LAGRANGE

MOST, ESE, I2C

Manifestation avec acte : Journée du Club Optique Micro-onde ( JCOM ) 2018 du 02 juillet au 02 juillet 2018, Toulouse (France), Juillet 2018 , N° 18566

Lien : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02022183

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146601
18548
13/06/2018

Optimisation et Caractérisation hyper-frequence d’un modulateur en vue de son integration verticale sur un VCSEL

L.MARIGO-LOMBART, S.CALVEZ, O.GAUTHIER-LAFAYE, A.MONMAYRANT, A.ARNOULT, A.RUMEAU, C.VIALLON, H.THIENPONT, K.PANAJOTOV, G.ALMUNEAU

PHOTO, TEAM, I2C, MOST, Bruxelles

Affiche/Poster : Journées Nano, Micro et Optoélectronique ( JNMO ) 2018 du 13 juin au 15 juin 2018, Cap Esterel (France), Juin 2018 , N° 18548

Lien : https://hal.laas.fr/hal-01980272

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146435
18589
01/06/2018

Le femtosat et les étoiles

O.LLOPIS

MOST

Ouvrage (contribution) : Dimension Technosciences @venir, Rivière Blanche, N°ISBN 978-1612277936, Juin 2018, pp.103-110 , N° 18589

Lien : https://hal.laas.fr/hal-02051362

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146833
18115
01/06/2018

High-Performance Compact 3-D Solenoids for RF Applications

A.CAYRON, C.VIALLON, O.BUSHUEVA, A.GHANNAM, T.PARRA

MOST, 3DiS Technologies

Revue Scientifique : IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Vol.28, N°6, pp.479-481, Juin 2018, doi 10.1109/LMWC.2018.2831438 , N° 18115

Lien : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01778992

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Abstract

A cost-effective technology is proposed for the integration of very compact and high-performance 3-D solenoid inductors. Based on a two metal level process, it involves a 3-D copper electroplating step for simultaneous integration of vertical and upper sections of coils. Several solenoids fabricated on a glass substrate and ranging from 2.3 nH to 9.5 nH are presented. The best performance is experimentally achieved by a 3-turn 3 nH inductor showing a maximum Q-factor of 58 at 5.6 GHz and a self-resonant frequency of 19 GHz. The best inductance density of 63 nH/mm 2 is reached by an 8-turn 9.5 nH solenoid.

143955
18285
22/05/2018

Low phase noise cryogenic amplifiers and oscillators based on superconducting resonators

D.CHAUDY, O.LLOPIS, B.MARCILHAC, Y.LEMAITRE, O.D'ALLIVY KELLY, J.M.HODE

MOST, UMP Thalès, Thales Airborne Systems

Manifestation avec acte : IEEE International Frequency Control Symposium ( IFCS ) 2018 du 21 mai au 24 mai 2018, Olympic Valley (USA), Mai 2018, 3p. , N° 18285

Lien : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01868407

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Abstract

A cryogenic low phase noise amplifier and an high Q superconductor resonator at 1 GHz have been designed and realized. A good agreement between the measured and simulated data at 80 K for these two devices is observed. An all cryogenic oscillator has also been designed with the same devices on an alumina substrate. This oscillator is still under test.

144623
18308
07/05/2018

Methodology for accurate diagnostic of defects in III-N HEMT technologies Non-destructive and destructive experimental tools-electrical and T-CAD models

J.G.TARTARIN, D.SAUGNON, J.GRAFFEUIL, L.BARY

MOST, I2C

Manifestation avec acte : IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference ( IEEE MELECON ) 2018 du 02 mai au 07 mai 2018, Marrakech (Maroc), Mai 2018, 5p. , N° 18308

Lien : https://hal.laas.fr/hal-01877587

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Abstract

III-V wide bandgap disruptive technology is firmly positioned as a leader for high power segments operating at high frequency or under switching mode. Still, it is needed to investigate these transistors to push the maturity towards higher levels and to address elevated junction temperatures. Concerning analog RF applications, more than two decades of studies lay the main technological process basis for both obtaining improved RF performances and reliability. However, if failure signatures and their associated defects are now issues likely to be understood as individual problems, the global failure behavior still poses challenges to overcome. This paper is a contribution to the failure analysis studies on GaN technologies by providing a methodology for ensuring the validity of the stress analysis, to the accurate identification of the involved defects; this procedure is suitable even for a single stress test campaign, when usually several accelerated life tests are needed to separate concurrently proceeding effects. This methodology is based on the use of destructive and non-destructive characterization techniques, as well as electrical modelling. Key degradation processes are highlighted from different feedback studies, still considering the need of a secure procedure to avoid any misunderstanding about the origin of the tracked DC or RF variation of the devices under test.

144770
18127
22/04/2018

Design of an Electro-absorption modulator for integration onto a VCSEL

L.MARIGO-LOMBART, S.CALVEZ, A.ARNOULT, A.RUMEAU, C.VIALLON, H.THIENPONT, G.ALMUNEAU, K.PANAJOTOV

PHOTO, TEAM, I2C, MOST, Bruxelles

Manifestation avec acte : SPIE Photonics Europe. Semiconductor Lasers and Laser Dynamics VII ( SPIE photonics ) 2018 du 22 avril au 26 avril 2018, Strasbourg (France), Avril 2018, 2p. , N° 18127

Lien : https://hal.laas.fr/hal-01780281

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Abstract

In this work, we have realized a complete optimization cycle from structure design, fabrication to devices characterization, and finally analysis b ased on our model of Asymmetric - Fabry - Perot vertica l electro - absorption modulator. In order to achieve enhanced dynamic absorption effect with a minimized number of MQW, we used a perturbative quantum - confined Stark - effect based on a simple absorption mode l and transfer matrix calculations and optimize the modulation figures of merit as a function of different design parameters under varying applied electrical fields. The epitaxial growth by MBE of different EAM and EAM - VCSEL structures has been done, supp orted by intermediate optical measurements enabling to identify the EAM cavity and VCSEL cavity respective positions. Finally, first static characterizations are done and demonstrate the expected modulation properties of the device. A very good agreement of theoretical predictions for both the effect of the applied field and the temperature on the excitonic peak position and the Fabry - Perot shift experimentally measured on different fabricated EAM structures has been achieved. Thanks to th is, we are now able to design an optim al VCSEL structure with integrated electro - absorption modulator . To aim for very high frequency efficient electrical injection we focused also on the BCB characterization up to 110 Ghz and the injection scheme de sign specific to this triple electrode device. These measurements are of high interest for the optimum design of the access while considering the parasitic effects. We then compare coplanar and micro strip lines access, with a taper or not, to decrease the pad capacitance and so increase the cut - off frequency.

143573
18434
01/04/2018

Ring filter synthesis and its BiCMOS 60 GHz implementation

P.RYNKIEWICZ, A.L.FRANC, F.COCCETTI, M.WIETSTRUCK, C.WIPF, S.T.WIPF, M.KAYNAK, G.PRIGENT

LAPLACE, MINC, IHP, MOST

Revue Scientifique : International Journal of Microwave and Wireless Technologies , Vol.10, N°3, pp.291-300, Avril 2018 , N° 18434

Lien : https://hal.laas.fr/hal-01924812

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Abstract

The detailed synthesis of a direct access ring filter topology fully controlled with the following targeted specification (center frequency, low transmission zero frequency, and matching level in the passband) is hereby presented. For this topology, the lowest achievable bandwidth is limited by technological constraints. Thereby a solution consisting in adding capacitive loads is proposed. The associated synthesis is also given and discussed. Both syntheses are illustrated with 60 GHz integrated planar filters implemented in the IHP 130 nm BiCMOS technology. Various 3 dB fractional bandwidths from 18 to 8% are targeted, some of them require the implementation of the capacitive loaded solution. The latter allows us to lower the bandwidth limit of the nominal topology as well as to get a high miniaturization, up to 3.4, depending on the capacitance value. Thanks to good measurement results, this implementation highlights the high efficiency, reliability, and versatility of the synthesis without the need of tuning simulations or post-simulations.

145789
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