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Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes

Publications de l'équipe ISGE

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821documents trouvés

18394
17/10/2018

Study of Photovoltaic Cells Implantation in a Long-Endurance Airplane Drone

V.MARTINEZ, F.DEFAY, L.SALVETAT, K.NEUHAUS, M.BRESSAN, C.ALONSO, V.BOITIER

ISAE, EXT, ISGE, ESE

Manifestation avec acte : International Conference on Renewable Energy Research and Applications ( ICRERA ) 2018 du 14 octobre au 17 octobre 2018, Paris (France), Octobre 2018, 5p. , N° 18394

Lien : https://hal.laas.fr/hal-01924131

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Abstract

Applications of unmanned aerial vehicle (UAVs) are expanding for long-endurance mission such as agricultural inspection, fire prevention and many others. Photovoltaic cells can be added to the wing surface and extend the global endurance of the UAV. This paper builds a model of the whole system and estimates the energy savings that can be achieved for different cell technologies and different types of missions. Furthermore, the impact of airplane movement (roll) on the performance of the maximum power point tracking control algorithm (MPPT) is studied

145373
18313
21/09/2018

Characterization and modeling technique of low power air-cooled PEBB modules

A.ANDRETA, Y.LEMBEYE, J.C.CREBIER, L.LAVADO VILLA

G2Elab, ISGE

Manifestation avec acte : European Conference on Power Electronics and Applications ( EPE ) 2018 du 17 septembre au 21 septembre 2018, Riga (Lettonie), Septembre 2018 , N° 18313

Lien : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01884611

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Abstract

This work presents a contribution to the automatic design of modular power converters based on the associations of standardized conversion cells. All conversion cells studied in this work were fabricated, tested and characterized, and statistical models are derived to represent their behavior. These statistical models were based on experimental data to predict with precision the behavior of any power converter built from a large number of identical conversion cells in any type of association. This work focuses on the characterization methodology and the modeling method implemented for low power, air-cooled standard conversion cells along with further details of the automated design method.

144803
18331
01/09/2018

A new electro-optical transmission-line measurement-method revealing a possible contribution of source and drain contact resistances to GaN HEMT dynamic on-resistance

D.HACHEM, D.TREMOUILLES, F.MORANCHO, G.TOULON

ISGE

Revue Scientifique : Microelectronics Reliability, Vol.88-90, pp.406-410, Septembre 2018 , N° 18331

Lien : https://hal.laas.fr/hal-01893190

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Abstract

Despite their potential in the field of power electronics, many reliability issues still affect the electrical performance of Gallium Nitride HEMT power devices and require an effort of analysis and understanding. The characterization of the on-state resistance of this transistor is necessary to understand the dynamics of some phenomena such as trapping. The degradation of this resistance has always been related to traps in the 2DEG channel, without taking into consideration possible contributions from the source and drain contacts (metal/ semiconductor). In this work, resistance measurements, with and without ultraviolet illumination, are performed on three different technological options to highlight the effect of illumination on contact resistances.

144944
18367
01/09/2018

Ensure an original and safe “fail-to-open” mode in planar and trench power SiC MOSFET devices in extreme short-circuit operation

F.BOIGE, F.RICHARDEAU, S.LEFEBVRE, J.M.BLAQUIERE, G.GUIBAUD, A.BOURENNANE

LAPLACE, SATIE, Thalès Communicatio, ISGE

Revue Scientifique : Microelectronics Reliability, Vol.88-90, pp.598-603, Septembre 2018 , N° 18367

Lien : https://hal.laas.fr/hal-01930069

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Abstract

The purpose of this paper is to present a complete experimentation of the two failure modes in competition that can appear during short-circuit (SC) fault operation of single-chip 1,2 kV SiC MOSFETs from different manufacturers including planar and trench-gate structures, well-known or recent devices. Ruggedness and selective failure modes are identified in relation with the power density dissipated by the chip and the simulated 1D-thermal junction. Finally, the chips of the devices which failed in a “fail-to-open” mode have been studied in order to find the physical reasons of this original and unusual fail-safe mode.

145163
18230
05/07/2018

Première démonstration expérimentale d’un interrupteur HEMT normally-off en GaN avec une région P-GaN enterrée

A.CHAPELLE, E.FRAYSSINET, Y.CORDIER, Y.SPIEGEL, L.B.BENMOSTEFA, D.TREMOUILLES, K.ISOIRD, F.MORANCHO, J.TASSELLI, P.AUSTIN, D.HACHEM, C.HALOUI

MICA, CRHEA, Ion Beam Services, ISGE, LCIP2, CEA TECH

Manifestation avec acte : Symposium de Génie Electrique ( SGE ) 2018 du 03 juillet au 05 juillet 2018, Nancy (France), Juillet 2018, 6p. , N° 18230

Lien : https://hal.laas.fr/hal-01848210

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Abstract

Un nouveau concept d'interrupteur de puissance HEMT en GaN présentant la fonctionnalité « normally-off » est expérimentalement validé. L'introduction d'une couche P-GaN suffisamment dopée (autour de 2 x 10 18 cm-3) au sein de la couche buffer GaN NID, en-dessous de l'électrode de grille et sous l'interface AlGaN / GaN, permet d'obtenir une tension de seuil positive de 0,8 V, soit un décalage significatif supérieur à 6 V par rapport à celle d'un HEMT conventionnel « normally-on ».

144283
18206
05/07/2018

Contribution à la conception automatique de convertisseurs statiques modulaires

A.ANDRETA, L.KERACHEV, Y.LEMBEYE, J.C.CREBIER, L.LAVADO VILLA

G2Elab, ISGE

Manifestation avec acte : Symposium de Génie Electrique ( SGE ) 2018 du 03 juillet au 05 juillet 2018, Nancy (France), Juillet 2018 , N° 18206

Lien : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01838514

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144162
18220
05/07/2018

Variation de la résistance de contact métal/semi-conducteur dans une structure HEMT GaN sous illumination UV

D.HACHEM, D.TREMOUILLES, F.MORANCHO, G.TOULON

ISGE

Manifestation avec acte : Symposium de Génie Electrique ( SGE ) 2018 du 03 juillet au 05 juillet 2018, Nancy (France), Juillet 2018, 4p. , N° 18220

Lien : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01838956

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Résumé

Malgré la potentialité des composants de puissance HEMT en nitrure de gallium dans le domaine de l'électronique de puissance, de nombreux problèmes de fiabilité limitent encore les performances électriques théoriquement atteignables et nécessitent donc un effort d'analyse et de compréhension. La caractérisation de la résistance à l'état passant de ces transistors est nécessaire pour comprendre la dynamique de certains phénomènes tels que le piégeage. La dégradation de cette résistance a été toujours attribuée au piégeage dans le canal 2DEG, sans tenir compte des contributions possibles des contacts source et drain (métal/semi-conducteur). Dans ce travail, des mesures de résistance, avec et sans illumination UV, sont effectuées sur deux options technologiques différentes pour mettre en évidence l'effet de l'illumination sur les résistances de contact de certains procédés technologiques.

144229
17294
01/07/2018

Tweaking Light-Emitting Diodes: A Multiobjective Optimal Design for New Luminaires

J.DULOUT, B.JAMMES, L.SEGUIER, A.BARROSO, P.DUPUIS, G.ZISSIS, C.ALONSO

ISGE, I2C, LAPLACE

Revue Scientifique : IEEE Industry Applications Magazine, Vol.24, N°4, pp.50-59, Juillet 2018 , N° 17294

Lien : https://hal.laas.fr/hal-01575731

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Abstract

In this paper, a Pareto multiobjective optimization is performed to design new luminaires, finding the optimal forward current, number of LEDs and proper heatsink by taking into account the cost, the energy consumption and the impact on the environment (life cycle analysis from cradle to grave). Three commercialized white LEDs have been studied and modelled in terms of optical, electrical, thermal and aging performances. The multiobjective methodology is also applied to other lamps (incandescent, halogen, fluorescent), indicating that LED lighting has a great potential of energy and cost savings with a minimization of environmental impacts on the long run.

145316
18369
23/06/2018

Monolithic Complementary Multi-terminal RC-IGBT Chips for Compact Multi-phase Power Converter

A.LALE, A.BOURENNANE, F.RICHARDEAU

ISGE, LAPLACE

Manifestation avec acte : International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems ( MIXDES ) 2018 du 21 juin au 23 juin 2018, Gdynia (Pologne), Juin 2018, 5p. , N° 18369

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Abstract

The paper deals with the monolithic/“on-chip” integration of multi-phase power converters in medium power applications. It focuses on the integration of the power converter within two original multi-terminal complementary substrates (P and N substrates). Interesting advantages can be brought by the integration of the multi-phase converter within only two complementary multi-terminal power chips. These advantages include power chips realization simplification, multi-terminal chips assembly simplification, gate driver circuit simplification and low EMI through the circuit board.

145179
18149
07/06/2018

Characterization Platform for Modular Power Converters

A.ANDRETA, A.DERBEY, Y.LEMBEYE, J.C.CREBIER, L.LAVADO VILLA

G2Elab, ISGE

Manifestation avec acte : International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management ( PCIM Europe ) 2018 du 05 juin au 07 juin 2018, Nuremberg (Allemagne), Juin 2018 , N° 18149

Lien : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01813284

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143822
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