• Pascal DUBREUIL (IR - Area responsible)
• Djaffar BELHARET (IR-CDD)

The plasma etching area consists of

-6 machines for etching by plasmas of high density (ICP-RIE (Inductively Coupled Plasma) for the treatment of 4 and 6 inches substrates.

-2 machines for etching or stripping of organic polymer (resist) and surface treatment of materials (Functionalization).

Each ICP-RIE machine is equipped with 2 13. 56 MHz RF sources to separately control the density of the plasma (RF source) and energy (RF platen) radicals. 

Working pressure is regulated by a butterfly valve and a Turbo-molecular pump Group during the process.  

ICP-RIE can explore a wide window of physico-chemical methods of etching, which makes his main interest in ICP mode and CCP (capacitive coupled plasma) mode.  

 

The multiplex STS machine allows deep etching of Silicon using Bosch process.

Les 3 machines Aviza Technology de type Omega 201 permettent de traiter des lots de 25 wafers et sont destinées à traiter respectivement le silicium et ses dérivés, les matériaux III-V, et le reste des matériaux utilisés en micro et nanotechnologies.
Le cluster Alcatel de type AMS4200 est équipé de 2 chambres pour la gravure respectivement du silicium profond par procédé tri-pulsé et des matériaux verre, silice fondue, quartz par procédé continu.

La machine tepla 300 permet le traitement par plasma d’oxygène ou fluoré des polymères organiques et autres matériaux pour les micro et nanotechnologies.

La machine Diener de type nano permet le traitement par plasma d’oxygène des matériaux utilisés en technologie MOS.

Le suivi ou contrôle de la gravure des matériaux se fait par des systèmes de détection optique de fin d'attaque de type OES (Optical Emission Spectroscopy) multi longueur d'onde ou de type LEPD (Laser End Point Detection). Ces systèmes sont mobiles, et peuvent être montés sur chacune des machines. Le système OES permet aussi le contrôle de l'état de propreté des chambres de gravure. Un troisième système fixe de détection d’impédance du plasma de gravure de type sonde Zscan permet le suivi de gravure ainsi que le contrôle de l’état de propreté des chambres de gravure.

Moyens de fabrication
STS Multiplex
Aviza Technology Omega 201
Aviza Technology Omega 201
Aviza Technology Omega 201
Tepla 300 Diener nano
ClusterAMS4200 : Chambre de gravure Si Chambre de gravure Verre
Outils de détection	Z scan probe : Détection de fin d'attaque par impédance plasma Reflectométrie (Intellemetrix ) : Détection de fin d'attaque par réflectométrie Laser 670nm Plasmascope (Horiba Jobin Yvon) : Détection de fin d'attaque et contrôle de propreté du réacteur par OES (Optical Emission Spectroscopy). Gamme 190nm-870nm

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