La localisation de zones particulières à une échelle sub-micronique (de 50 nm à quelques micromètres) au sein de composants peut être un outil très attractif pour développer de nouveaux concepts.
Nous avons étudié cette étape clé dans le cas de surfaces GaAs, en s'imposant une contrainte d'uniformité du procédé sur de larges surfaces, ceci dans le but d'une intégration de cette étape technologique dans le procédé de fabrication d'un composant. Des surfaces propres et planes à l'échelle atomique ont été obtenues grâce à un traitement combiné d'un plasma micro-ondes ex-situ à base de O2:SF6, et d'un traitement in-situ par plasma d'hydrogène. Des reprises de croissance par EJM ont ainsi été menées sur des rubans micro- et nanométriques sur plusieurs directions de cristal. Notamment, un alignement des ilôts quantiques d'InAs a pu être démontré sur des rubans [-110] en utilisant un stresseur à base de puits GaInAs sur une couche tampon de GaAs.