Le mode d’intégration monolithique «hétérogène» permettra d’intégrer des composants actifs (MOS basse tension et composants de puissance) et des composants passifs (condensateur, inductance, transformateurs à noyau magnétique, etc.). La spécificité de ces composants passifs résident dans les étapes technologiques utilisées pour leurs réalisations. En effet, ces étapes sont issues des micro-technologies (dépôt de matériaux autres que le silicium, gravures, résines épaisses, collage de plaques, reports de puces et micro-assemblage). Par conséquent, L’intégration des étapes spécifiques aux éléments passifs dans le procédé technologique du composant principal (le composant de puissance) nécessite des étapes d’adaptation et peut nécessiter la redéfinition de certaines étapes du procédé de départ.

Afin de minimiser les coûts, les différentes étapes technologiques doivent être basées sur des équipements et techniques permettant de travailler au niveau de la plaque de silicium. Par conséquent, les deux voies que nous privilégions dans le cadre de cette intégration sont l’association de nouveaux matériaux avec le silicium et l’exploitation du volume du silicium pour l’intégration des nouveaux éléments.

Un exemple de structure qui illustre ce mode d’intégration est donné ci-après :