Projets en cours

  • MoreGaN (“Power MOSFETs realization on Gallium Nitride”) : projet soutenu par l’Agence Nationale de la Recherche (ANR), appel à projets « Blanc » (2007-2010). Dans ce projet, le LAAS étudie la faisabilité d’interrupteurs MOS de puissance normally-off en nitrure de gallium (GaN) sur substrat silicium, en collaboration avec 3 laboratoires (CRHEA-CNRS, IMN, LAPLACE).
  • ToPoGaN1 (“Toulouse Power GaN N°1” ou “Démonstrateur transistor de puissance à base de GaN épitaxié sur substrat silicium grand diamètre”) : projet soutenu par l’Agence Nationale de la Recherche (ANR), appel à projets « Nano-INNOV / RT » (2009-2010). Dans ce projet, le LAAS participe à la fabrication et à l’invention de nouvelles structures HEMT de puissance normally-off avec 8 partenaires industriels et académiques (Freescale, CEA-LETI, 3-5 Lab, SOITEC, CRHEA-CNRS, G2Elab, LTM, IMN).

    • Dans les projets MOreGaN et ToPoGaN1, les défis essentiellement technologiques (croissance épitaxiale sur substrat silicium, gravure, implantation, dépôt de diélectrique, qualité de l’interface oxyde/semiconducteur, métallisation,…) et conceptuels (création de nouvelles architectures adaptées à la problématique des couches fines de GaN) sont nombreux et nécessiteront vraisemblablement plusieurs années de recherche avant de pouvoir fabriquer un interrupteur de puissance (MOS et/ou HEMT) normally-off performant, fiable et à faible coût.

  • DIAMONIX (2007-2010): projet labellisé pôle de compétitivité « Aéronotique, Espace, Systèmes embarqués » (Aerospace Valley AESE), il est soutenu par le Fond de Compétitivité des Entreprises (FCE). Ce projet regroupe un certain nombre d’industriels (Alstom, Nexter, IBS, NovaSiC) et les principaux acteurs universitaires de la filière diamant (LIMIHP, GEMac, LAPLACE, LAAS, AMPERE, LGP). Il a pour but de développer les principales briques technologiques (croissance de couche, conception et réalisation de composants, encapsulation) nécessaires à la réalisation d’une diode de puissance PIN. Dans ce projet, le LAAS est impliqué dans le développement des étapes technologiques de base (réalisation de contacts, dopage par implantation, gravure, passivation…) mais aussi dans la mise en place d’une base de simulation.
  • DIAMOOND (“DIAMond Off ON Devices”): projet soutenu par l’Agence Nationale de la Recherche (ANR), appel à projets «Blanc» (2006-2010). Dans ce projet, le LAAS a pour objectif de réaliser un interrupteur de puissance PIP dont la conduction est assurée par des porteurs créés dans la zone I, par un faisceau d’électrons. Ce projet est mené en collaboration avec des laboratoires français (LIMHP, Institut Néel, LTN-INRETS)