Ces projets de recherche sont focalisés sur des composants de puissance en silicium, matériau qui est, dans une très large majorité des applications de puissance, le plus utilisé pour des raisons évidentes de coût et de technologie parfaitement maîtrisée de nos jours. Cette voie nécessite l’invention d’architectures de composants MOS et IGBT originales. L’utilisation du volume du semi-conducteur est le dénominateur commun de ces nouvelles structures semi-conductrices. Il convient alors de lever les verrous, tant sur le plan des simulations électrothermiques 3D, qui sont incontournables dans certains cas, mais présentent encore des difficultés de mise en œuvre (limite de la puissance de calcul, description des structures souvent difficile,…), que sur celui des matériaux des technologies classiques utilisées jusqu’à présent. Dans cette perspective, nous nous appuierons fortement sur notre connaissance des nouvelles structures 3D et sur l’expertise de notre plate-forme technologique pour la mise en œuvre des technologies appropriées (multi-épitaxies, gravure profonde du silicium, remplissage de tranchées par des matériaux diélectriques et conducteurs…).