Les décharges électrostatiques (ESD) sont responsables de nombreux problèmes de fiabilité dans les circuits intégrés électroniques. Ces dysfonctionnements sont d'autant plus graves lorsqu'ils touchent la sécurité des systèmes embarqués dans l'aéronautique ou dans l'automobile. Le développement de structures de protection et de stratégies d'implantation est donc nécessaire. Les tendances de la microélectronique à la réduction des tailles lithographiques et à l'augmentation des densités d'intégration rendent les circuits intégrés de plus en plus vulnérables aux ESD.
L'étude d'un composant soumis à une décharge électrostatique fait appel à des mécanismes physiques complexes au regard des densités de courant exceptionnelles mises en jeux ( > au MégaAmpère/cm2).
Initialement focalisé sur la conception de structures de protections ESD pour circuits intégrés, ce projet s'est ouvert à d'autres thèmes :

• Fiabilité des systèmes électroniques face aux ESD, intéractions ESD/EMI (interférences électromagnétiques).
• Structures de protection ESD sur nouveaux matériaux
• Fiabilité en ESD des MEMS-RF (collaboration avec MINC)
• Nouvelles méthodes de détection des défauts latents (collaboration avec MOST)

Afin de pouvoir mener à bien ce projet, un investissement permanent est effectué pour se doter de moyens de caractérisations en ESD les plus performants.