Nouveaux composants

Pour répondre aux défis présentés en page d'accueil du groupe, une des problématiques scientifiques majeures concerne les futures générations d’interrupteurs haute tension (600 V et au-delà) performants et intelligents : il convient de minimiser les pertes et d'assurer une meilleure gestion de l’énergie en améliorant, d’une part, les caractéristiques intrinsèques des composants semi-conducteurs qui contrôlent cette énergie, et, d’autre part, en proposant de nouvelles architectures des systèmes de conversion permettant leur intégration.

Dans l’équipe « Nouveaux Composants », nous proposons de développer de nouvelles architectures unipolaires et bipolaires à commande MOS (transistors MOS de puissance et familles IGBT) répondant à l’évolution des systèmes de gestion de l’énergie. Dans une perspective d’intégration, les composants de type MOS peuvent apporter un avantage concurrentiel à condition de diminuer fortement la résistance à l’état passant qui pénalise encore fortement les pertes en conduction. En effet, leur aptitude à travailler à plus haute fréquence permettrait de minimiser la taille des composants passifs. En outre l’augmentation de la fréquence de commutation pour ces dispositifs dédiés aux convertisseurs d’énergie pour les applications nomades, requiert de nouvelles architectures de composant permettant de diminuer la capacité d’entrée.

Pour atteindre ces objectifs, on peut distinguer deux voies principales pour nos recherches :