Zone des Procédés Thermiques

Personnel


La zone des procédés thermiques regroupe les moyens d’élaboration pour la croissance, le dépôt et le traitement de matériaux en technologie MOS et Microsystèmes. Elle dispose de 21 tubes (7 bâtis de fours), 1 Réacteur PECVD standard, 1 Réacteur ICPECVD, 2 fours de recuit rapide. Les plus anciens tubes sont généralement des fours de laboratoire (Zone plate de 20 cm) pour des plaquettes de 4". Les derniers équipements (8 tubes (2 bâtis de fours)) sont de type industriel (zone plate de 50cm pour des plaquettes de 6").




Moyens d'élaboration

Fours AET de recuit 4"








Fours Oxydation  4"





Fours Centrotherm 6" d'oxydation et redistribution


Fours Centrotherm 6" Recuit et LPCVD


Fours TEMPRESS de dépôt LPCVD 4"

Système d'abattement de gaz
(scrubber)



Four Vertical AET



Réacteur de dépôt PECVD standard
RTP Si
RTP GaAs


















Fours AET de recuit 6"













Réacteur de dépôt ICPECVD

















Four d'oxydation thermique humide III-V

 





Savoir Faire


  • SiO2 de masquage et de grille MOS
  • Redistribution de dopants type N et P
  • Dopage du Silicium et du Silicium poly cristallin par diffusion thermique de phosphore
  • Dépôt de Silicium poly cristallin non dopé
  • Dépôt de Silicium poly cristallin dopé Bore
  • Dépôt de Si3N4, de SiNx par LPCVD
  • Dépôt de Si3N4 et de SiO2 par PECVD CCP et ICP
  • Recuit de métaux
  • Recuit rapide AsGa
  • Recuit rapide Si
  • Oxydation thermique humide III-V


Quelques illustrations
 
Oxydation thermique humide III-V

  • Confinement AlOx pour les VCSEL et laser ruban

  • Guide d'onde

  •  Oxydation d'autres alliages III-V à base d'Al









Dépôt de SiO2 sur de la résine photosensible par ICPECVD à 100°C

  		 



Application de l'oxydation    thermique à la fabrication de nano fil de Silicium