Personnel

• David BOURRIER (AI-Responsable de zone)

La zone Electrochimie se présente sous 2 volets : la gravure humide anisotrope, et la croissance électrolytique de métaux.

Gravure chimique anisotrope

La gravure chimique anisotrope consiste à graver le silicium par voie chimique sur des profondeurs allant de quelques microns à plusieurs centaines de microns. La solution d'attaque est une solution chimique alcaline. La réaction d'oxydo-réduction qui se produit entre le silicium et la solution va entrainer la dissolution de celui-ci suivant des directions préférentielles. La réalisation d'un masque préalable en nitrure ou oxyde de silicium permet de localiser cette gravure et de réaliser des motifs (membrane, cavités, tranchées…).

Croissance élecrolytique de métaux

Cette technique consiste à transformer les ions métalliques contenus dans une solution en dépôts métalliques. Le dépôt peut se faire pleine plaque ou localisé et sur des épaisseurs allant de quelques µm à plusieurs centaines de µm.

Le substrat de silicium est plongé dans une solution contenant les ions métalliques à déposer. Un courant est imposé entre le substrat est une contre électrode. Ce courant va permettre la transformation des ions en atomes métalliques. La composition des bains, la densité du courant, l'agitation … influencent les caractéristiques du dépôt.

Moyens de fabrication Paillasses de gravure anisotrope Paillasses pour la mise au point des bains électrolytiques Equipement RENA fontaine pour le dépôt d'or sur substrats 4 pouces Equipement RENA fontaine pour le dépôt de cuivre Equipement RENA rack pour le dépôt de cobalt, fer, nickel Equipement RENA fontaine pour le dépôt d'or sur substrats 6 pouces Titration Stripping de résine (premier plan) Traitement de surface (deuxième plan) CVS AAS Poste anodisation

Savoir Faire

Gravure humide anisotrope Gravure par KOH : La vitesse de gravure des plans 100 variant de 0.5 à 2.5 µm /min pour des concentrations de 20 à 50 % en poids et des températures de 50 à 90°. Cette solution d'attaque nécessite un masque en nitrure de silicium Gravure par TMAH : La vitesse de gravure des plans 100 variant de 0.2 à 1 µm /min pour des concentrations de 20 à 50 % en poids et des températures de 50 à 90°. Cette solution ne grave pas l'oxyde et permet donc de réaliser des membranes. Réalisation d'une cavité par gravure KOH Etude de l'influence de l'PA sur la gravure TMAH TMAH 20% - 2 min TMAH 20% + 17 % IPA - 2 min Dépôts électrolytiques de métaux Dépôts d'or : dépôts en courant continu en pleine plaque ou dans des moules de résines pour des épaisseurs jusqu'à une dizaine de µm. On peut déposer sur des substrats 4 ou 6 pouces. Ce dépôt d’or est peu contraint < à 10 MPa et homogène (inhomogénéité < à 5%) MEMS - RF Dépôts de cuivre : dépôts en courant continu ou en courant pulsé en pleine plaque ou dans des moules de résines pour des épaisseurs jusqu'à une centaine de µm Micro-convertisseurs d'énergie Dépôts de Co-Ni-Fe: dépôts en courant continu en pleine plaque ou dans des moules de résines pour des épaisseurs jusqu'à plusieurs dizaines de µm. Micro-convertisseur pour les composants de puissance Dépôts de Platine : dépôts en courant continu dans des moules de résines ou d’alumine pour des épaisseurs de quelques µm Dépot de Nano-fils Dépôts de SAC : dépôts en courant continu dans des moules de résines pour des épaisseurs jusqu'à une centaine de µm Bump de SAC avant et après recuit Dépôts d'or par immersion permettant la protection des dépôts de cuivre.