|
Personnel
Zone Epitaxie par Jets Moléculaires
La zone Epitaxie par Jets Moléculaires regroupe les moyens d'élaboration de matériaux III/V à base de GaAs.
Les deux bâtis d'épitaxie par jets moléculaires, connectés par ultra-vide, ainsi que les moyens de caractérisation dédiés, sont intégrés à la salle blanche du LAAS (classe 10000 - ISO7).
Moyens d'élaboration
|
Bâti RIBER 2300
Cellules d'effusion :
Ga, In, Al
2xAs
cellule plasma H
RHEED 20kV
Spectromètre de masse
Pompe ionique
Pompe turbo |
 |
Bâti RIBER 32P
Cellules d'effusion :
Ga, In, 2xAl
As (cracker)
Si, Be
cellule plasma N
RHEED 10kV
Spectromètre de masse
Réflectométrie dynamique accordable
Pyromètre basses températures
Pompe ionique
Pompe cryogénique |
 |
Bâti RIBER MBE 412 (nouvel équipement 2012)
Cellules d'effusion :
2xGa, 2xAl, 2xIn
2x(As) cracker
Sb, Si, C (CBr4)
cellule plasma N à vanne
RHEED 12kV + KSA400
Pyromètre
KSA BandiT
Spectromètre de masse
Pompe ionique
Pompe cryogénique
Robot cluster :
Module de chargement/déchargement
Module de park
Module de dégazage haute température |
 |
|
|
Moyens de caractérisation dédiés
|
Auger Riber sous UHV
|
|
|
Banc de photoluminescence à température ambiante
|
Diffractomètre X haute résolution
BRUKER D8 Discover (Da Vinci design)
|
 |
Savoir-faire
Epitaxie de composants photoniques :
- Lasers à puits quantiques GaAs/AlGaAS, GaInAs/GaAs, GaInAsN/GaAs
- Lasers à émission par la surface (VCSEL)
- Lasers à crisaux photoniques
Epitaxie sur surfaces (100), (111)A, (111)B, (110)
Epitaxie d'alliages nitrurés sur des surfaces de différentes orientations.
Epitaxie de boîtes quantique SK InAs/GaAs
Décontamination de surface et reprise d'épitaxie
Retour haut de page
|
