|
La zone Epitaxie par Jets Moléculaires regroupe les moyens d'élaboration de matériaux III/V à base de GaAs.
Les deux bâtis d'épitaxie par jets moléculaires, connectés par ultra-vide, ainsi que les moyens de caractérisation dédiés, sont intégrés à la salle blanche du LAAS (classe 10000 - ISO7).
Moyens d'élaboration
|
bâti RIBER 2300
cellules d'effusion :
Ga, In, Al
2xAs
cellule plasma H
RHEED 20kV
Spectromètre de masse
Pompe ionique
Pompe turbo |
 |
bâti RIBER 32P
cellules d'effusion :
Ga, In, 2xAl
As (cracker)
Si, Be
cellule plasma N
RHEED 10kV
Spectromètre de masse
Réflectométrie dynamique accordable
Pyromètre basses températures
Pompe ionique
Pompe cryogénique |
 |
Moyens de caractérisation dédiés
|
Auger Riber sous UHV
|
|
|
banc de photoluminescence à température ambiante
|
Savoir-faire
Epitaxie de composants photoniques :
- Lasers à puits quantiques GaAs/AlGaAS, GaInAs/GaAs, GaInAsN/GaAs
- Lasers à émission par la surface (VCSEL)
- Lasers à crisaux photoniques
Epitaxie sur surfaces (100), (111)A, (111)B, (110)
Epitaxie d'alliages nitrurés sur des surfaces de différentes orientations.
Epitaxie de boîtes quantique SK InAs/GaAs
Décontamination de surface et reprise d'épitaxie
Retour haut de page
|
